1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日報道稱，三星電子內部為應對其 12nm 級 DRAM 內存產品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進現有 1b nm 工藝的同時從頭設計新版 1b nm DRAM。
據悉該新版 12nm 級 DRAM 工藝項目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡寫），專注改進能效和散熱表現，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。
▲ 三星電子基于現有 12nm 級制程的 32Gb DDR5
三星在 2022 年 12 月、2023 年 5 月先后宣布其 12nm 級 DDR5 DRAM 完成開發與批量生產，但此代工藝并未在 LPDDR5x 等關鍵領域取得成功，三星 DS 部門甚至因此丟掉了 MX 部門 Galaxy S25 系列手機初期內存一供的地位。
此外，現有 12nm 級 DRAM 工藝在作出啟動 D1B-P 項目的決定時良率僅有 60% 左右，遠低于業界大規模量產所需的 80%~90%。
報道指出三星電子在 2024 年底為 D1B-P 項目緊急訂購了必需設備，該制程預計將于 2025 年內量產，最早的推出時間則是今年 2~3 季度。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。