高數值孔徑 （ High -NA ） EUV 光刻 機 剛剛起步， ASML 又開始 致力于開發 超數孔徑 Hyper-NA EUV 光刻機 。 ASML 名 譽首席技術官 Martin van den Brink在安特衛普舉行的Imec技術論壇（ITF）上發表演講時透露了公司的未來規劃。 他表示，在未來十年內，ASML將構建一個集成低數值孔徑、高數值孔徑和超數孔徑EUV系統的單一平臺。 這一舉措被視為減少工藝步驟數量、降低晶圓加工成本和能源消耗的關鍵。

Van den Brink進一步強調了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能夠簡化復雜的雙重圖案工藝，降低生產難度。他解釋說，這種高分辨率工具的可用性對于半導體制造行業至關重要。

值得注意的是，高數值孔徑EUV（high-NA）光刻技術目前正處于起步階段。ASML自去年12月開始出貨高數值孔徑工具，目前僅英特爾一家采用，而臺積電則表示短期內不會采用。為了推動該技術的研發和應用，ASML將在幾周內正式在費爾德霍芬開設高數值孔徑實驗室，該實驗室將與Imec共同運營，為芯片制造商提供該工具的早期使用權。

事實上，該實驗室的系統已經投入使用，并成功打印了有史以來第一個10納米線陣圖案。據Van den Brink的最新更新，該系統已經能夠產生8nm線陣圖案，接近該工具的最大分辨率。這一成果進一步證明了ASML在EUV光刻技術領域的領先地位和持續創新的能力。