近年來，DRAM 供貨吃緊，價格居高不下，在去年底，就傳出國家發改委曾約談三星，關注儲存芯片價格問題。

在近日，又有雙方簽署 MOU 的消息，市場預期將可能抑制 DRAM 價格。集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，內存價格漲勢延續超過 6 季上揚，造成許多中國手機廠不堪成本壓力，因而引來政府關注，將可能使今年第一季的 DRAM 價格受到抑制。而目前三星是全球最大的存儲器芯片廠商，有近 48％ 的全球市占率。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出，中國的存儲器市場不管是內需或外銷，都已越來越重要，目前供貨商在生產移動內存的獲利已遠低于其他類別產品，而第一季智能手機需求也很低迷，預期未來價格漲幅將受抑制。且為應對中國方面對于內存價格持續上漲所表達的強烈不滿，對供貨商而言，成本下降不易的考慮下，擴張產能的可能性將大增。

MOU 無關價格

不過來自于《集微網》的消息指出，曾向政府舉報高通壟斷的手機中國聯盟秘書長王艷輝表示，近期發改委與三星簽署的 MOU 無關價格問題，是高技術局與三星之間有關半導體領域的相關技術合作，及擴大在中國投資等議題，而非價監局的手筆。的確價監局曾經就 DRAM 漲價一事約談過三星，但現在尚不能確定會對三星采取何種措施，如果三星被確認參與價格操縱，那發改委同樣很可能會進行處罰。

目前市場分析認為，今年新增的 DRAM 產能，還無法跟上市場需求，尤其是物聯網和高速運算應用，都需要高速內存芯片支持，無論是 DRAM 或 NAND Flash 今年在供貨松綁且需求不減的情況下，可望進一步推升出貨量，預計相關業者營收還是相當穩健。。

臺灣工研院產業趨勢中心也認為，今年虛擬貨幣挖礦業者也加入掃貨，服務器需求仍然強勁下，預估今年全球 DRAM 產值會再成長 23％，雖然漲幅不如去年，但主要供應商增產仍有節制，預計平均銷售單價仍會上揚近 32％，年產值達 900 億美元，將續創新高。

不過 DRAMeXchange 也指出，由于三星、東芝、英特爾、長江存儲等都大力擴展 NAND Flash 所以未來產能效應將轉趨明顯，尤其 3D－NAND Flash 產能將可能翻倍，恐怕在 2019 年就會出現供過于求的狀況。