三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上。
韓媒 etnews 18 日報導，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標最快 2020 年量產(chǎn)。相關人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時間可能延后。
三星從 20 納米制程（28→25→20），轉進 10 納米制程（18→17），縮小線寬（Line－width）的速度明顯放緩。三星尚未成立 15 納米制程以下的研發(fā)團隊，因為由此開始，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯，需要開發(fā)新的材質。
三星設備解決方案部門的半導體實驗室人員 Jung Eun－seung 說，為了繼續(xù)縮小線寬，必須開發(fā)與當前不同的新材質，并提高制程穩(wěn)定性，以便進入量產(chǎn)。業(yè)界人士估計，15 納米或許是制程微縮的極限，未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對手差距，并擔憂中國業(yè)者急起直追，趕上三星。
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