據(jù)外電報道，英特爾周二表示，該公司計劃讓位于大連的半導體制造工廠轉(zhuǎn)產(chǎn)存儲芯片。在未來的三至五年內(nèi)，該工廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)將為英特爾帶來至少35億美元的支出。英特爾稱，該公司對大連工廠的投資最高將達到55億美元。

　　英特爾大連工廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)，正值全球芯片產(chǎn)業(yè)掀起整合浪潮之時。中國當前正加速打造本地技術(shù)制造能力。

　　長期以來，英特爾的絕大多數(shù)營收都來自于計算機處理器和相關(guān)芯片業(yè)務。這家公司一直通過嚴格的控制制造技術(shù)，來防止競爭對手的抄襲。

　　英特爾大連工廠雖然創(chuàng)辦于2010年，但是在制造工藝上卻落后于其它英特爾工廠兩代以上。英特爾表示，通過對該工廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)投資，它將成為領(lǐng)先的非易失性存儲芯片（ nonvolatile memory chips）制造商。非易失性存儲芯片是指在斷電的情況下，芯片依舊能夠保存數(shù)據(jù)。

　　非易失性存儲芯片包括了目前被廣泛應用于智能手機、平板電腦的閃存芯片。英特爾此舉不僅表明將進軍存儲芯片市場，而且會讓存儲芯片業(yè)務擁有更大的獨立性。英特爾目前通過與美光的合資公司制造閃存芯片。該公司制造的產(chǎn)品，被英特爾用于硬盤和其它存儲設備當中。英特爾和美光最近開發(fā)出3D NAND閃存技術(shù)。不同于將存儲芯片放置在單面，英特爾和美光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來，單個MLC閃存芯片上可以增加最高32GB的存儲空間。英特爾表示，大連工廠預計將從2016年下半年開始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。

　　除去常規(guī)閃存芯片之外，英特爾和美光最近還宣布聯(lián)合開發(fā)出了3D XPoint技術(shù)，其速度是現(xiàn)有存儲卡和計算機固態(tài)驅(qū)動器所用NAND閃存技術(shù)的1000倍。

　　英特爾負責非易失性存儲芯片業(yè)務的副總裁羅伯·克魯克（Rob Crooke）在博客中表示，“英特爾與美光的關(guān)系依舊很好。不過英特爾希望擁有額外提供閃存芯片的渠道。”他說，“大連工廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)是我們?nèi)蚨嘣獞?zhàn)略的一部分，能夠讓我們更好地服務于客戶。”

　　美光發(fā)言人周二就此表示，該公司與英特爾依舊將保持緊密的合作伙伴關(guān)系。該發(fā)言人稱，美光當前正考慮把英特爾在大連的工廠作為未來存儲設備的配件供應商之一。

　　中國目前擁有許多芯片制造商，但還沒有一家存儲芯片制造商。清華紫光今年7月曾計劃230億美元收購美光。消息人士稱，雙方的收購談判之所以破裂，是因為交易可能無法得到美國監(jiān)管部門的批準。

　　英特爾股價周二在納斯達克證券市場常規(guī)交易中下跌0.15美元，跌幅為0.45%，報收于33.44美元。在隨后的盤后交易中，英特爾股價下跌0.09美元，跌幅為0.27%，報收于33.35美元。過去52周，英特爾最低股價為24.87美元，最高股價為37.90美元。