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消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
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南亚科技首款1Cnm制程DRAM内存产品明年初试产
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消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型光刻胶
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SK海力士HBM3E内存良率已接近80%
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三星SK海力士将超过20%的DRAM产线转换为HBM
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消息称三星计划量产的1c DRAM使用MOR光刻胶
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消息称SK 海力士拟新建DRAM工厂
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美光获得美国至多61.4亿美元直接补贴和75亿美元贷款
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SK海力士计划投资5.3万亿韩元再建一座DRAM工厂
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美光科技：台湾地震导致DRAM芯片季度供应下降5%
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美光计划二季度针对DRAM内存和固态硬盘产品调涨 25%
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SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存量产
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三星和SK海力士正在提高DRAM产量
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三星升级HBM团队以加速AI推理芯片Mach-2开发
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美光投资43亿元扩建西安封装和测试工厂
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美光预估AI时代旗舰手机DRAM内存用量将提升50%~100%
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三星正研发 CMM-H 混合存储模组
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三星DRAM预估今年下半年产能恢复到2023年前水平
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DRAM增长全面转正，六巨头大涨221%
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美光计划部署纳米印刷技术以降低DRAM芯片生产成本
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SK海力士或将与铠侠合作在日本生产HBM
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南亚内存20nm技术被盗损失数十亿
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SK海力士三星电子HBM良率仅65%
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AI浪潮带动存储芯片再进化
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三星：考虑将MUF技术应用于服务器 DRAM 内存
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SK海力士2024年将增8台EUV光刻机
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SK海力士将升级中国半导体工厂
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消息称三星和美光第 1 季度 DRAM 价格已上调 15%-20%
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美光率先为业界伙伴提供基于 32Gb 单裸片 DRAM 的高速率、低延迟 128GB 大容量 RDIMM 内存
發(fā)表于：2023/11/26 上午8:36:00
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半导体产业谷底已现！
發(fā)表于：2023/6/12 上午10:59:20
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