據韓媒 Businesskorea 報道，SK 海力士、三星電子有望于年內先后啟動 1c 納米 DRAM 內存的量產。

進入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式稱呼內存世代，1c nm 即對應美光的 1-gamma nm 表述，為第六個 10+ nm 制程世代。三星方面稱呼上一世代 1b nm 為“12nm 級”。

三星近期在行業會議 Memcon 2024 上表示，其計劃在今年年底前實現 1c nm 制程的量產；

而近日據行業消息人士透露，SK 海力士內部已制定在三季度量產 1c nm DRAM 內存的路線圖。

SK 海力士計劃提前做好準備，在 1c nm 內存通過行業驗證后立即向微軟、亞馬遜等主要客戶供貨。

對于三星電子和 SK 海力士，其下代內存產品有望提升 EUV 光刻使用量，在減小線寬、提升速率同時帶來更好能效；

參考此前報道，美光將在 1-gamma 納米節點首次引入 EUV 技術，預計 2025 年量產，目前已進行了試產。

臺企南亞則正在研發其首代 DDR5 內存產品，有望今年推出。