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Vishay Siliconix推出业界面积最小、厚度最薄的N沟道芯片级功率MOSFET

Si8800EDB具有0.64mm2的超小外形和0.357mm的厚度
2010-07-29
作者:Vishay公司
關鍵詞: Si8800EDB Vishay公司

    賓夕法尼亞、MALVERN— 2010 年7 月29 日— 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB,該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOT®Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可減少在便攜式電子產品中占用的空間。

    隨著便攜式產品變得愈加小巧,器件的尺寸成為選擇器件的重要因素,因為按鍵和電池占用了大部分空間,使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度,比同樣采用芯片級封裝的尺寸第二小的N溝道器件小36%,薄11%,能夠實現更加小巧且功能更多的終端產品。

    由于采用無封裝技術且增大了管芯面積,Si8800EDB的芯片級封裝提供了單位面積上極低的導通電阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大導通電阻分別為80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。

    新器件的典型應用包括負載開關和手機、PDA、數碼相機、MP3播放器和智能手機等便攜式設備中的小信號切換。Si8800EDB的低導通電阻可延長這些產品中兩次充電之間的電池壽命。

    Si8800EDB的典型ESD保護為1500V,符合RoHS指令2002/95/EC,符合IEC 61249-2-21定義的無鹵素規范。

    新款功率MOSFET現可提供樣品,將在2010年第二季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十六周。

VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選IC)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉換器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。(這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備)。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站www.vishay.com。

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