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谷歌自研芯片摆脱台积电先进封装

2026-07-29
來(lái)源:快科技
關(guān)鍵詞: 谷歌 TPU SRAM 台积电 先进封装

7月28日消息,據(jù)摩根士丹利報(bào)告,谷歌正在設(shè)計(jì)一款名為Frozen V2的新一代TPU芯片,目標(biāo)是將SRAM直接集成到硅片上,從而擺脫對(duì)臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)的依賴。

SRAM是目前AI芯片中速度最快的緩存,負(fù)責(zé)存儲(chǔ)AI模型運(yùn)行時(shí)頻繁調(diào)用的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)做法是把SRAM做成獨(dú)立芯片,再通過(guò)CoWoS封裝技術(shù)與計(jì)算單元連接在一起,但CoWoS封裝工藝復(fù)雜、成本高,而且封裝環(huán)節(jié)會(huì)增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t。

Frozen V2的思路是把SRAM直接做在計(jì)算單元的硅片上,省去封裝環(huán)節(jié)。

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這樣一來(lái),數(shù)據(jù)不需要在芯片之間傳輸,速度更快,延遲更低,谷歌希望通過(guò)這種方式為Gemini模型量身定制芯片,專門優(yōu)化AI推理性能。

不過(guò)這種方式也有代價(jià),每次AI模型有重大升級(jí)時(shí),都需要重新設(shè)計(jì)芯片,芯片制造商也要為每一輪生產(chǎn)調(diào)整設(shè)備。

AI芯片制造商Taalas今年早些時(shí)候也采用了類似方法,將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)權(quán)重直接集成到硅片上。

摩根士丹利預(yù)計(jì),F(xiàn)rozen V2可在2027年進(jìn)入早期生產(chǎn),2028年量產(chǎn),合作伙伴方面,Marvell可能是候選之一,但目前尚未確認(rèn)。

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