7月28日消息，在成功造出兩臺150nm光刻機原型機之后，俄羅斯相關部門對外公開表態，將在今年年底正式完全掌握130nm全流程光刻技術。

俄羅斯澤列諾格勒納米技術中心ZNTC目前已經正式啟動兩套設計工藝為150nm的電子束光刻系統原型的全面實機測試，整套設備的完整測試周期預計會持續四個月左右。

這套自研光刻系統可以直接在硅片上完成微電路的圖案化加工，還能不需要額外配套掩模，直接制作生產環節所需的光掩模。這套工藝路線非常適配芯片原型開發、前沿技術研發場景，也能滿足各類專用微電路的小批量生產需求。

與之形成鮮明對比的是，當前全球頭部的頂尖芯片制造商比如英特爾、臺積電，早已經開始用1.8nm到2nm的先進工藝大規模量產消費級處理器，生產環節全部采用最頂尖的EUV極紫外光刻機設備。

從參數指標層面核算，俄羅斯當前國產的150nm光刻機，在元件線性尺寸參數上比全球最先進的商用光刻標準落后75倍，在元件面積也就是晶體管密度指標上更是落后5625倍。這套自研系統的實際技術水準對標全球工業體系2000年代初的水平，剛好是奔騰4處理器大規模量產的時代。

俄羅斯第一副總理丹尼斯·曼圖羅夫對外公開表態，這一系列自研光刻設備的落地，標志著俄羅斯時隔45年之后，正式重返世界微電子強國的序列。他給出明確預期，到2026年底，俄羅斯的本土產業就會完全掌握成熟的130nm光刻全鏈條技術。

不少行業分析人士指出，單從商業消費級先進芯片的維度來看，130nm工藝看起來技術非常落后，和全球頂尖水平存在巨大差距。

但這套完全自主的光刻技術，完全可以支撐汽車電子、工業控制、雷達、航天以及各類軍用基礎芯片的本土自主生產，從國家安全供應鏈自主可控的角度來看，是一個分量極重的階段性里程碑。