6月22日消息，國內特色晶圓代工龍頭華虹宏力迎來技術與產能雙重突破。行業調研信息顯示，40nm超低功耗特色工藝已穩定量產，無錫12英寸產線持續推進產能爬坡，產品結構優化成效顯著。

40nm超低功耗工藝是邏輯與射頻平臺的核心升級，可有效降低芯片功耗，延長物聯網及可穿戴設備的單次充電使用時間。

在工藝布局上，華虹宏力55nm與40nm制程同步量產，BCD、存儲、微控制器等特色工藝也持續穩定供貨，多平臺協同覆蓋邊緣AI與消費電子領域的主流芯片代工需求。

無錫12英寸新產線爬坡成果顯著，2026年一季度該產線收入占比達62.7%，成為營收增長核心引擎。8英寸與12英寸產線協同運營，配合全流程成本管控，各廠區長期保持高產能利用率。

業績方面，工藝與產能雙重優勢推動一季度業績增長，營收46.25億元，同比增18.22%；歸母凈利潤1.40億元，同比暴增513.10%。MCU、閃存及BCD產品出貨量大幅上漲，業績超預期。

AI算力外溢帶動電源管理、存儲芯片需求回暖。供應鏈格局調整促使國內設計企業加大本土代工采購，成熟制程行業迎來復蘇。華虹宏力完善的工藝體系可充分承接國產化新增訂單。

業內預計，華虹宏力年內將落地產能整合項目，擴充12英寸高端制程產能。依靠40nm低功耗新工藝與持續釋放的12英寸產能，華虹宏力有望收獲邊緣智能、工業控制領域增量訂單。