6月8日消息，英偉達最新AI平臺Vera Rubin進入量產階段，SK海力士、三星和美光之間的競爭正從層數比拼轉向技術攻堅，芯片內部熱管理已成為HBM5時代的關鍵突破口。

AI硬件加速迭代，英偉達、AMD新一代AI服務器GPU單芯片功耗逼近1000W。HBM4已堆疊12至16層，HBM5將邁向20層堆疊。

堆疊層數越高，HBM內部熱量積聚越嚴重，過熱會觸發芯片降頻、算力縮水、整機穩定性下降。英偉達和AMD等客戶已明確要求HBM供應商加強散熱管理。

SK海力士近期發布iHBM散熱技術，將集成冷卻元件內嵌到HBM中，在芯片內部開辟直通散熱通道。

與傳統設計相比，該技術可將熱阻降低30%以上。SK海力士計劃將iHBM應用于其HBM5及后續產品。

三星電子在Computex 2026上首次公開HBM5原型，并推出HPB散熱方案，將導熱塊埋入多層DRAM裸片之間，相當于在堆疊芯片內部搭建多條獨立散熱煙囪。

該技術已在第七代HBM4E上完成驗證，樣品已于5月底首次交付客戶。三星表示，該技術可將熱阻降低16%，HBM5預計在2028年左右實現量產。

美光則主攻低功耗HBM設計，并輔以硅通孔溝槽冷卻技術。通過在AI加速器芯片的硅芯片內部蝕刻微型溝槽，使冷卻液在其中循環流動，從而降低內部熱積累。

業內人士指出，散熱技術升級將帶動高導熱材料、先進封裝制程需求爆發，重塑半導體供應鏈。低功耗和熱管理技術將是未來HBM研發的核心方向。