近日，在COMPUTEX 2026展會上，三星電子以“全方位解決方案”（Total Solution）為主題，向外界展示了其作為全球存儲芯片大廠在AI存儲領域的統治力。

面對越來越“熱”的AI算力需求，三星不僅首次公開展示了下一代HBM4E晶圓與芯片，更詳細介紹了瞄準HBM5時代的神秘核心技術——HPB（Heat Path Block，導熱塊）架構。這標志著三星開始著手攻克高性能計算中最為棘手的“散熱墻”難題。

HBM4E首秀：4nm與1c DRAM的融合

在展會現場，三星首次向公眾展示了HBM4E晶圓及芯片實體。作為HBM4的增強版，HBM4E是三星綜合實力的集中體現。

據三星半導體介紹，該產品采用了“混合結構”：底部的基礎芯片（Base Die）由三星晶圓代工部門最新的4納米制程打造，負責高速邏輯運算；上層則是通過最先進的1c DRAM制程制造的核心芯片（Core Die）。

這種設計帶來了驚人的性能提升。三星官方數據顯示，HBM4E能夠穩定支持每引腳（Pin）最高14Gbps的傳輸速度，未來規格將擴展至16Gbps，屆時可實現最高 4TB/s 的超高帶寬。此外，其單堆棧容量較前一代提升了30%以上，可根據客戶需求提供32GB至64GB的配置。

三星透露，已于今年5月底向全球主要客戶交付了12層HBM4E樣品，成為業內首家出貨該產品的廠商。

跨入HBM5時代：HPB技術破解熱難題

如果說HBM4E是性能的延續，那么三星首次展出的HBM5架構模型則預示著技術路線的變革。

隨著AI加速器功率密度的飆升，傳統的散熱方案已難以應對下一代AI系統的需求。三星電子首席技術官宋載赫（Song Jae-hyuk）在展會上指出，在HBM5架構中，隨著數據傳輸速度的進一步提升，位于基礎芯片中的 D2D PHY（芯片間互聯物理層）已成為主要的發熱源。

為了解決這一問題，三星獨創了 HPB（Heat Path Block） 技術。據三星及權威媒體報道，HPB是一種集成在芯片封裝內部的金屬導熱結構，通常由銅基材料制成，其導熱性能比傳統聚合物基材料高出約500至1000倍。

“我們可以把它想象成一個‘煙囪’結構，”宋載赫解釋稱，“我們在D2D PHY區域單獨開辟了一條獨立的熱傳導路徑，讓熱量能夠像氣流一樣高效地向外疏導，而不是在芯片內部積聚。”這一設計顯著降低了熱阻，確保HBM5在高帶寬、高密度整合的環境下仍能保持運行穩定性。

三星強調，雖然HPB技術瞄準HBM5，但目前已在該公司展示的HBM4E產品上完成了技術驗證，并計劃從HBM5開始正式導入這一架構。

除了散熱技術的革新，三星還為HBM5規劃了更先進的制造工藝。

根據三星半導體官網及業內人士透露，未來的HBM5將采用更先進的工藝組合：核心芯片將繼續沿用第六代10納米級（1c）DRAM，而底部的邏輯基礎芯片將升級為三星代工部門的2納米工藝。這一升級旨在進一步提升邏輯運算效率，匹配GPU的飛速發展。

關于量產時間表，據韓媒及多家權威財經媒體報道，三星電子的HBM5預計將在 2028年左右實現量產。

全方位AI布局：適配NVIDIA Rubin平臺

在本次COMPUTEX展上，三星不僅展示了內存技術，更強調了其順應NVIDIA Vera Rubin平臺發展方向的全棧解決方案。

三星展臺還同步展示了針對AI工作負載優化的存儲新品，包括系統內存SOCAMM2，以及用于AI服務器的PM1763、PM1753與PM9D3a等固態硬盤。其中，PM1763預計將直接搭載于NVIDIA VR200 GPU服務器的本地SSD中使用。

在HBM的產能與定價方面，市場反應積極。摩根士丹利預測，得益于HBM及通用DRAM價格的全面上漲，三星電子今年營業利潤同比增幅或將達到驚人的464%。隨著三星在HBM4E上的率先出貨以及HBM5的提前亮相，這家韓國半導體巨頭正試圖在下一代AI競爭中確立不可動搖的“超級差距”。