5月26日消息，據媒體報道，SK海力士發布了一項名為“iHBM”的控溫散熱存儲技術。
該技術的核心在于其新開發的冷卻元件“ICE”，這是一種采用絕緣、高導熱性硅基材料制成的元件。
傳統的HBM產品主要依靠熱量經由核心芯片向外傳導的間接散熱方式，而iHBM則直接將ICE嵌入發熱最集中的D2D PHY區域，為該區域構建專用的熱量排出通道。
相比傳統方案，iHBM的熱阻降低了30%以上，在高溫、高負載等嚴苛環境中，產品運行的穩定性得到有效保障。
在量產可行性方面，iHBM采用了已在市場中廣泛驗證的先進MR-MUF晶圓級封裝工藝，能夠實現規模化穩定量產。
此外，該技術與客戶現有的系統級封裝環境具備較高的設計兼容性，客戶無需進行大規模設計改動即可直接部署，從而有效降低了實際導入的技術門檻。
SK海力士計劃將iHBM技術應用于HBM5等下一代產品中，以滿足高性能計算及AI數據中心等超高集成度、高帶寬應用場景下的散熱管理需求。
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