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力积电正与美光合作开发1P制程DRAM内存

预计2028H2量产
2026-04-23
來源:IT之家

4 月 22 日消息,中國臺灣地區半導體企業力晶積成電子制造股份公司(力積電、PSMC)昨日舉行 2026 年第 1 季度線上法人說明會。該企業會上表示已與美光啟動 1P 制程 DRAM 內存的聯合研發,預計 2027Q1 導入設備、2028H1 試產、2028H2 量產。

1P 制程的單位晶圓產出是力積電現有工藝的 2.5 倍,可為力積電未來利基型 DRAM 業務的發展打下堅實技術基礎。

而力積電受美光委托的 PWF(后端晶圓制造)業務則預計 2026Q3 啟動設備導入、2026Q4 試產、2027Q4 量產,目標月產能 2 萬片晶圓。

力積電將 3D AI Foundry 視為重要的未來業務增長點,其高密度電容 IPD(整合式被動元件)2.5D 中介層已通過國際大廠認證,即將量產;WoW 四層晶圓堆疊認證進程順利,有望 2027 年小規模量產。

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該企業已在今年 1 月上調了 12 英寸 DDI 與圖像傳感器代工價格,漲幅在 10% 以上;而在今年 4 月又大幅提升了 NAND 閃存晶圓代工的投片價格。其有望在年內完成 MLC NAND 工藝開發,2027H2 可供客戶設計定案.

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