1 月 20 日消息，韓媒《ChosunBiz》當地時間今日報道稱，根據其從 Omdia 獲取的數據，合計占據 NAND 產能 60+% 的兩大原廠三星電子和 SK 海力士今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇 NAND 供應的短缺。
三星電子計劃今年累計投入 468 萬片 NAND 晶圓，而 2025 年是 490 萬片；SK 海力士今年產能規模為 170 萬片，而 2025 年是 190 萬片。兩家企業今年合計產能同比下降約 6.2%。
與此同時，AI 基礎設施建設對 NAND 閃存需求反而一年勝過一年：根據花旗的數據，英偉達的 Vera Rubin 超級芯片機架系統需要 1152TB 的固態硬盤，是上代 Grace Blackwell 的 10 倍以上。
由于上一輪存儲周期中遭受了嚴重的虧損，三星電子和 SK 海力士目前在 NAND 領域采用“利潤最大化”的策略，沒有理由大幅提高閃存產能。
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