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传铠侠明年将量产332层NAND Flash

2025-12-12
來源:芯智讯

12月11日消息,據日經新聞報道稱,存儲芯片大廠鎧俠(Kioxia)將在2026年開始生產332層的第10代NAND Flash,搶占AI數據中心需求。

報道稱,鎧俠將在2026年利用北上工廠(巖手縣北上市)的第二晶圓廠(K2)開始生產新一代NAND Flash產品,目標搶攻AI數據中心需求。

鎧俠將生產的產品為被稱為“第10代”的NAND Flash,其存儲單元(Memory Cell)的堆疊數從目前第8代的218層將增加至332層,每單位面積的儲存容量提升59%、數據傳輸速度改善33%、并且降低了耗電量。

受該消息影響,鎧俠的合作方Sandisk 的股價在12月10日大漲6.11%,收于232.86美元/股。


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