12 月 2 日消息，韓媒 DealSite 昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子考慮將支撐其 HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)的 1a nm DRAM 產(chǎn)能削減 30~40%，通過制程轉(zhuǎn)換提升適用于通用內(nèi)存產(chǎn)品的 1b nm 產(chǎn)能，以實(shí)現(xiàn)利潤的最大化。

三星電子的 HBM3 和 HBM3E 內(nèi)存均基于 1a nm DRAM，而 HBM4 則基于 1c nm，1b nm 工藝產(chǎn)能完全由通用內(nèi)存占據(jù)。

由于 AI 需求、HBM 擠占產(chǎn)能、短期內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)幅度有限等原因，DDR5、LPDDR5x、GDDR7 等通用內(nèi)存產(chǎn)品近來價(jià)格經(jīng)歷了一波快速漲勢，對(duì)于三星電子而言其 1b nm 產(chǎn)能的盈利能力反而超過了傳統(tǒng)看法中受益于 HBM 高價(jià)格的 1a nm。

盡管三星電子最終還是成為了英偉達(dá)的 HBM3E 供應(yīng)商，但其供貨規(guī)模相對(duì)受限，此外三星電子在 HBM3E 上的平均售價(jià)本身就相較 SK 海力士低出三成，而 2026 年起 HBM3E 還將降價(jià) 30%。

消息人士指出，三星電子如果將 1a nm 的 30~40% 產(chǎn)能和 1z nm 等更為成熟工藝的產(chǎn)能切換為 1b nm，則 1b nm 的投片量有望額外擴(kuò)充每月 8 萬片晶圓。