作為全球創新與技術的領導者，三菱電機在2025PCIM Asia展會上亮相，展示了多款前沿功率半導體產品，包括面向中功率空調的Compact DIPIPMTM和SiC SLIMDIP?模塊、面向新能源應用的第8代IGBT模塊、專為電動汽車設計的J3系列SiC功率模塊，以及軌道牽引和電力傳輸用SBD嵌入式高壓SiC模塊等創新解決方案。
（展臺照片）
媒體發布會：創新與可持續未來
2025年9月24日，三菱電機半導體在上海PCIM Asia期間舉辦了以“創新功率器件構建可持續未來”為主題的媒體發布會。三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部總經理赤田智史、三菱電機功率器件制作所資深研究員Gourab Majumdar博士、三菱電機功率器件制作所產品戰略部部長野口宏一郎博士分別就公司半導體業務概況、功率芯片技術路線圖及新型功率模塊亮點進行了詳細介紹。發布會最后，Majumdar博士、野口宏一郎博士、赤田智史與三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部市場總監陳偉雄一同參與了媒體問答環節。就三菱電機最新產品、技術趨勢及市場戰略與媒體進行了互動交流。
（發布會照片）
整體業務：營收利潤雙創新高，戰略聚焦構筑核心優勢
作為技術驅動型企業，三菱電機深耕半導體領域 69 年，憑借多項核心專利與產業化能力，在全球電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件及家電市場占據重要地位。其半導體產品廣泛覆蓋變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通信及有線/無線通信等關鍵領域，為各行業高效運行與綠色轉型提供核心支撐。
在業務層面，三菱電機近期財報顯示，公司在復雜市場環境中保持穩健增長。2025財年（2024年4月至2025年3月）業績創歷史新高，實現營收 55217億日元，營業利潤 3918億日元。盡管面臨匯率波動，2026財年（2025年4月至2026年3月）預計營收 54000億日元，營業利潤將進一步提升至 4300億日元。
在半導體業務方面，2025財年營收為 2863億日元，營業利潤 406億日元，主要得益于光通信器件需求增長及產品結構優化。2026財年，半導體業務營收預計增至 2900億日元，營業利潤預計為 310億日元，雖受匯率及攤銷成本影響利潤有所調整，但公司仍持續投入功率器件與光器件領域，強化市場競爭力。
三菱電機在熊本縣建設的 八英寸SiC晶圓新工廠計劃于 2025 年 11 月投產，在福岡縣的模塊封裝與測試新工廠計劃于 2026 年 10 月投產。
（三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部總經理赤田智史）
技術路線：硅與碳化硅雙軌并行
在這次發布會上，三菱電機功率器件制作所資深研究員 Majumdar 博士（Dr. Gourab Majumdar）圍繞功率芯片技術戰略展開深度解讀，系統闡述了公司在硅基與碳化硅基器件領域的技術突破與未來規劃。
在功率芯片技術方面，三菱電機持續推動硅基IGBT與碳化硅基MOSFET的協同發展。硅基IGBT已演進至第8代，通過CSTBT?技術、超薄晶圓、分段門結構（Split Gate）和深層緩沖（CPL）等創新，顯著降低導通與開關損耗，提升器件可靠性。第8代IGBT更采用兩段式門極設計，優化dv/dt與di/dt控制，滿足電機驅動與新能源發電應用等不同應用場景需求。
碳化硅技術方面，三菱電機已推出第4代溝槽柵SiC-MOSFET，具備高柵極可靠性和低導通電阻等優勢。通過優化溝槽底部電場緩解層、側壁P-well結構及高濃度JFET摻雜，其比導通電阻（Ron,sp）較傳統平面柵SiC-MOSFET降低50%以上。未來，公司計劃每兩年推出一代新型SiC-MOSFET，持續引領行業技術迭代。
（三菱電機功率器件制作所資深研究員Gourab Majumdar博士）
SiC 技術的最新突破：高性能與高電壓拓展
發布會上，重點介紹了基于碳化硅（SiC）技術的功率半導體進展。三菱電機功率器件制作所資深研究員Majumdar博士在發布會上詳細闡述了SiC-MOSFET技術的最新突破以及其在電動汽車和可再生能源領域的廣泛應用。
第4代 SiC-MOSFET 采用溝槽柵（Trench）結構，相比傳統平面型設計，器件比導通電阻（Ron,sp）降低超過 50%，。其三大優化包括：溝槽底部電場松弛層提升柵極可靠性、通過傾斜離子注入在溝槽側壁上添加p層，以降低Crss電容并改善開關損耗、施加高濃度n+摻雜以減少JFET效應和導通電阻。
為解決雙極性退化問題，三菱電機提供了兩種差異化方案：
· 中低壓應用：質子注入層，可將寄生體二極管的可承受電流提升至傳統方案的 1.67 倍。
· 高壓應用：SBD 嵌入式結構，使芯片面積縮減 54%，無退化風險。
未來路線圖顯示，三菱電機將保持“每兩年一代”的節奏：2028 年推出 Gen.5，2030 年推出 Gen.6。同時，將電壓等級從現有的 1.7kV/3.3kV 拓展至 2.5kV/6.5kV，進一步滿足新能源發電和高壓輸配電的應用需求。
新品亮點：模塊化解決方案推動行業升級
三菱電機集中發布了面向家電、可再生能源、電動汽車及高壓輸電等領域的多款最新功率半導體模塊，包括Compact DIPIPMTM 、SiC SLIMDIP?、第8代 IGBT LV100 模塊、J3 系列 SiC 模塊以及 Unifull? 系列SBD嵌入式SiC模塊。這些新品以“高效能、低損耗、高可靠性”為核心優勢，契合行業差異化需求，將進一步推動功率半導體技術迭代與應用升級。
- Compact DIPIPMTM：
為變頻家電和工業應用開發的Compact DIPIPM系列產品包括30A/600V和50A/600V兩個等級。樣品已于9月22日開始發售。Compact DIPIPM通過采用第3代RC-IGBT，該模塊的封裝尺寸已縮減至Mini DIPIPM的53%，有助于客戶在柜式變頻空調等應用中實現更緊湊的逆變控制器。該產品新增用于橋臂短路保護的互鎖功能，將有助于簡化逆變器的基板設計。另外，通過將連續工作溫度下限擴展至-40°C，拓展了變頻空調和工業設備的工作溫度范圍，特別有助于推動在冬季寒冷地區更廣泛地使用變頻空調。
- SiC SLIMDIP?：
為住宅空調設計，提供全SiC與SiC輔助型（SiC+Si RC-IGBT并聯）兩種方案，分別可實現約79%與47%的功率損耗降低。并與現有硅基SLIMDIP封裝完全兼容，助力家電廠商快速實現能效升級。
（SiC SLIMDIP? 功率半導體模塊）
- 第8代 IGBT LV100 模塊：
為了進一步提升 IGBT 模塊的功率密度，三菱電機開發了第 8 代 IGBT 模塊。其核心創新包括 雙段式分裂柵（Split Gate）及深層緩沖層（CPL），能夠有效降低導通和開關損耗。在 LV100 標準封裝（100×140×40mm） 中，第 8 代 IGBT 的額定參數從第 7 代的 1200V/1200A 提升至 1200V/1800A，輸出功率提升 25%，為光伏與風電逆變器等新能源應用提供更高功率和更高效率的解決方案。
（LV100 封裝第 8 代 IGBT 模塊）
- J3系列 SiC 功率模塊：
三菱電機推出了面向電動汽車主驅逆變器的 J3 系列 SiC 功率模塊。其中，J3-T-PM 模塊采用緊湊型壓注模封裝，額定電壓 1300V、電流 350A，低電感設計結合優化散熱性能，可靈活并聯滿足 150–300kW 主驅需求。除主驅模塊外，J3 系列還提供繼電器模塊（體積較傳統機械繼電器縮減約60%，壽命更長），以及 標準化 SiC 芯片（750V/1200V），幫助客戶簡化設計并降低成本，為不同車型應用提供靈活方案。
（J3-T-PM、J3-HEXA-S、J3-HEXA-L、J3-Relay 模塊）
- Unifull?系列SBD嵌入式SiC模塊：
面向高壓輸配電應用，采用 LV100 封裝，額定電壓3.3kV、電流200–800A。創新的 SBD 嵌入式設計使芯片面積縮減54%，開關損耗降低58%，徹底消除雙極退化風險。該模塊已于2023年5/6月正式發布并量產，目前已應用于全球 HVDC輸電 與軌道交通系統。
Unifull?系列SBD嵌入式SiC 模塊
這些創新模塊將持續推動功率半導體行業向更高效、更可靠和更綠色的方向升級。依托在 SiC 與硅基技術的雙軌布局 以及 產能擴張規劃，三菱電機將不斷優化產品結構，提升全球市場的響應能力。公司將繼續與產業鏈合作伙伴攜手，以領先的功率半導體技術賦能家電、電動汽車、可再生能源及高壓輸電等關鍵領域，加速能源轉型和可持續發展目標的實現。
（三菱電機功率器件制作所產品戰略部部長野口宏一郎博士）
未來展望：高壓化與全球化布局
未來幾年，三菱電機將持續加大在功率半導體領域的投入，特別是碳化硅（SiC）及其他寬禁帶技術的研發與產業化。公司計劃在熊本縣建設的 8 英寸 SiC 晶圓新工廠將于 2025年11月 投產，福岡縣的新模塊組裝與檢測工廠則預計在 2026年10月 投產，以擴大產能、提升制造效率，滿足全球快速增長的市場需求。
在技術演進方面，SiC 技術將保持“兩年一代”的節奏：2026 年 Gen.5、2028 年 Gen.6，并逐步將電壓等級從 1.7kV 擴展至 2.5kV，從 3.3kV 擴展至 6.5kV，面向可再生能源、固態變壓器（SST/PET）、高壓直流輸電（HVDC）等高壓應用。硅基技術方面，公司也將持續推進第9代 IGBT 的研發，探索多柵極和雙面控制等新結構，不斷挑戰損耗與可靠性的極限。
三菱電機將攜手全球合作伙伴，依托在低損耗和高可靠性功率半導體領域的領先優勢，推動行業向更高效、更綠色、更智能的方向發展，助力全球能源轉型與可持續發展的長期目標。
