在“雙碳”戰略目標驅動下，功率半導體正成為高能效家電與新能源汽車發展的核心引擎。2025年9月，三菱電機將攜最新一代功率半導體產品亮相 PCIM Asia 2025（上海），全面展示其在SiC MOSFET、IGBT等前沿器件上的創新成果，并于 9月24日舉辦三菱電機半導體媒體見面會，與行業共同探討功率半導體技術如何助力綠色未來。

本屆PCIM展會上，三菱電機將重點展出三大明星產品：

面向大容量家電的SiC SLIMDIP? 功率半導體模塊

作為三菱電機首款面向家電應用的SiC SLIMDIP?模塊，該系列包括 全SiC DIPIPM?與混合SiC DIPIPM? 兩類創新設計：

· 全SiC SLIMDIP?

內置專為SLIMDIP?封裝優化的SiC-MOSFET芯片，能夠在家電應用中顯著提升輸出功率與能效。該方案有效降低功率損耗，為空調等家電提供高效解決方案。

· 混合SiC SLIMDIP?

通過同一IC驅動并聯的SiC MOSFET（低電流下具備低導通電壓特性）和Si RC-IGBT（高電流下保持優異導通特性），實現低功率損耗與穩定性能兼顧。

這一創新架構，使家電廠商在追求節能的同時，也能保持高可靠性與成本競爭力。

該系列產品為家電節能升級注入全新動力，進一步推動家庭用能與社會能源的綠色轉型。

第8代IGBT 模塊

三菱電機全新推出的第8代IGBT模塊，重點突破在于更高功率密度、更低損耗、更優散熱：

· 技術創新

o 采用分段式溝槽柵結構，降低導通損耗；

o 芯片背面等離子體層結構減少厚度，進一步優化開關特性；

o 擴大芯片面積，有效降低結殼熱阻。

· 性能提升

o 第8代LV100封裝產品：由第7代的1200V/1200A提升至 1200V/1800A；

o 第8代NX封裝規劃開發5款不同規格產品，包括 1000A/1200V半橋、800~1000A/1200V Split-NPC（半橋+鉗位二極管） 等。

憑借更強的電流承載力與熱管理能力，第8代IGBT模塊可充分適配高功率場景下的性能需求，將廣泛應用于新能源發電、軌道交通、工業電機驅動等高功率場景，為用戶提供更高效可靠的解決方案。

面向電動汽車的 J3 系列 SiC-MOSFET 功率半導體模塊

隨著電動汽車對高功率密度與高可靠性需求的提升，三菱電機重磅推出 J3系列SiC-MOSFET功率半導體模塊，包括：

· J3-T-PM半橋模塊

o 采用緊湊的第3代T-PM封裝，具備高散熱能力與低熱阻特性；

o 內置高可靠性SiC-MOSFET芯片，獨特溝槽柵設計可抑制Vth漂移與損耗退化；

o 適配逆變器小型化需求，并可多模塊并聯，擴展功率范圍。

· J3-HEXA 全橋模塊

o 可覆蓋電動車不同容量等級的逆變器應用；

o 支持高功率電驅系統，滿足電動車高速運行下電驅系統的穩定性需求。

· J3繼電器模塊

o 基于J3-T-PM緊湊型封裝和溝槽柵SiC MOSFET的超低損耗，專為電池斷路單元及切換/斷開回路設計；

o 提供雙向與單向開關兩種結構，內置快速短路保護，實現電動車電控系統的高安全性。

J3系列憑借高能量密度與高擴展性，為新能源汽車的輕量化、小型化與高性能提供堅實支撐。

媒體見面會預告

主題：創新功率器件構建可持續未來
時間：2025年9月24日14:00
地點：上海卓美亞喜瑪拉雅酒店

屆時，三菱電機將攜研發專家及行業合作伙伴，共同分享三菱電機功率半導體的最新成果、功率半導體技術的未來趨勢與應用展望。

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（請提前完成報名，席位有限，先到先得）

三菱電機期待與您在PCIM Asia 2025相遇，共同見證功率半導體的最新突破！