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消息称美光将加入16-Hi HBM3E战场

已在进行最终设备评估
2025-01-16
來源:IT之家
關鍵詞: 美光 HBM3E DRAM 内存

1 月 16 日消息,韓國媒體《朝鮮日報》今日報道稱,DRAM 內存巨頭之一的美光也將加入 16-Hi(注:即 16 層堆疊)HBM3E 內存的競爭,已在進行最終設備評估,計劃年內實現量產。

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▲ 美光現有 12Hi HBM3E

三大 DRAM 原廠中 SK 海力士在 2024 年 11 月率先宣布了其 48GB 16-Hi HBM3E 產品,并表示該型內存相較此前的 12Hi 32GB HBM3E 在 AI 訓練方面性能提升了 18%。推理上的改進更是達到了 32%。另一家企業三星電子也是在今年量產 16-Hi HBM3E。

美光曾表示該企業的目標是將其在 HBM 細分市場的占有率從此前的低個位數百分比提升至與整體 DRAM 領域相當的 20%。為此美光正積極在全球擴張產能:就在今年初,美光宣布其位于新加坡的 HBM 內存先進封裝工廠動工,目標是 2026 年投運。


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