7月4日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電提出完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）解決方案，不過(guò)實(shí)施起來(lái)復(fù)雜且成本較高，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)。

當(dāng)前，臺(tái)積電所倚重的超級(jí)電軌（Super Power Rail）架構(gòu)，以其卓越的性能與效率，被業(yè)界公認(rèn)為解決高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品復(fù)雜信號(hào)傳輸與密集供電需求的直接且高效途徑。

該架構(gòu)即將在A16制程工藝上迎來(lái)大規(guī)模應(yīng)用，預(yù)示著半導(dǎo)體性能與能效的新飛躍。相較于傳統(tǒng)的N2P工藝，超級(jí)電軌架構(gòu)在相同工作電壓下，性能提升可達(dá)8-10%；反之，在維持相同速度的前提下，功耗顯著降低15-20%，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了1.1倍的密度提升。

值得注意的是，背面供電技術(shù)的實(shí)現(xiàn)離不開(kāi)一系列關(guān)鍵性技術(shù)突破。其中，最為關(guān)鍵的一環(huán)在于將芯片背面精細(xì)拋光至足以與晶體管實(shí)現(xiàn)緊密接觸的極限厚度，這一過(guò)程雖精妙絕倫，卻不可避免地削弱了晶圓的機(jī)械強(qiáng)度。

為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，臺(tái)積電在正面拋光后巧妙引入了載體晶圓粘合技術(shù)，以穩(wěn)固支撐后續(xù)的背面制造工藝，確保了制程的順利進(jìn)行。

此外，納米硅通孔（nTSV）等前沿技術(shù)的融入，也對(duì)設(shè)備精度與工藝控制提出了更高要求。為確保納米級(jí)孔道內(nèi)銅金屬的均勻沉積，臺(tái)積電需投入更多高端設(shè)備，以支撐這一精密且復(fù)雜的制造流程。

隨著臺(tái)積電超級(jí)電軌架構(gòu)的逐步量產(chǎn)，其不僅將引領(lǐng)半導(dǎo)體性能與能效的新一輪競(jìng)賽，更將帶動(dòng)整個(gè)供應(yīng)鏈上下游的協(xié)同發(fā)展，為整個(gè)行業(yè)注入強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)力。