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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装

为现代汽车应用提供更高效率
2024-04-12
來源:英飞凌

【2024年4月12日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出采用 OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術,具有出色的熱性能,可避免熱量傳入或經過汽車電子控制單元的印刷電路板(PCB)。該封裝能夠實現簡單、緊湊的雙面PCB設計,并更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統成本。因此,SSO10T TSC適用于電動助力轉向(EPS)、電子機械制動(EMB)、配電、無刷直流驅動器(BLDC)、安全開關、反向電池和DCDC轉換器等應用。

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SSO10T TSC的占板面積為5 x 7 mm2,并且基于已確立的行業標準 SSO8(5 x 6 mm2的堅固外殼)。但由于采用了頂部冷卻,SSO10 TSC的性能比標準SSO8高出 20%以上,最高可高出50%(具體取決于所使用的熱界面(TIM)材料和TIM的厚度)。SSO10T TSC封裝被JEDEC列為開放市場產品,能夠與開放市場第二供應商的產品進行廣泛兼容。因此,該封裝可作為未來頂部冷卻標準快速、輕松地推出。

SSO10T半導體封裝能夠實現高度緊湊的PCB設計,減少系統占用空間。它還通過消除通孔降低了冷卻設計的成本,進而減少了整體系統成本和設計工作量。同時,該封裝還提供高功率密度和高效率,從而支持面向未來的可持續汽車的發展。

 

供貨情況

首批采用SSO10T的40 V汽車MOSFET產品現已上市,分別是:IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。

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