《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 电源技术 > 业界动态 > 英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,树立技术新标准

英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,树立技术新标准

2022-03-15
來源:英飞凌
關鍵詞: 英飞凌 功率MOSFET

【2022年3月14日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。這些新器件采用薄晶圓技術和創新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列已針對服務器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應用中的同步整流進行了優化。這些功率MOSFET還可在無人機中,應用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知,無人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件。

OptiMOS PQFN 2x2.png

這些領先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝,具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業界極低的導通電阻,能夠進一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外,該解決方案還具有出色的電氣性能,可進一步提高終端應用的功率密度,縮小外形尺寸。同時,系統溫度的降低、性能的提升,也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實現更小巧的客戶應用,充分節省空間、降低系統成本,打造易于設計的產品。

供貨情況

采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列現已上市:

·PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)

·PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)

AETweidian.jpg

本站內容除特別聲明的原創文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。
主站蜘蛛池模板: 久久精品国产精品亚洲色婷婷| 久久久精品在线观看| 亚洲中文字幕无码一区二区三区| 99精品视频播放| 欧美日韩国产精品一卡| 国产精品久久激情| 日韩精品欧美在线| 丰满少妇久久久| 国产欧美久久久久| 久久久91精品国产| 日本精品一区二区三区在线| 国产精品流白浆视频| 久久福利视频导航| 久久亚洲国产精品成人av秋霞| 国产精品免费网站| 久久免费一级片| 欧美午夜精品久久久久久蜜欧美亚洲第一页 | 日韩欧美一区二区三区四区| 99在线观看视频免费| 精品网站在线看| 久久免费国产视频| 久久人人爽人人爽爽久久| 日本三日本三级少妇三级66| 日韩在线视频一区| 日本一区高清在线视频| zzijzzij亚洲日本成熟少妇| 久久精品国产电影| 久久精品美女| 国产日产欧美一区二区| 国产在线观看91精品一区| 国产在线一区二区三区四区| 久久99久久亚洲国产| 久久精品免费播放| 国产精品一区二区在线观看| 精品国产一区二区三区久久久狼| 久久免费视频网站| 国产欧美亚洲精品| 国产精品毛片一区视频| 99久久久久国产精品免费| 亚洲日本欧美在线| 日韩精品福利视频|