隨著人工智能的發(fā)展，市場對內(nèi)存的要求更高，三星正在向市場推出基于特定應(yīng)用要求的存儲(chǔ)組合產(chǎn)品。

據(jù)悉，三星最近正在研發(fā)新型存儲(chǔ)器LLW DRAM，將高帶寬、低延遲、低功耗的特性結(jié)合在一起。三星將新的內(nèi)存技術(shù)定位在需要運(yùn)行大型語言模型（LLM）的設(shè)備上，未來也可能出現(xiàn)在各種客戶端工作負(fù)載中。

LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存，擁有寬I/O、低延遲、每個(gè)模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。

同時(shí)，LLW DRAM還有另一個(gè)重要特性，就是1.2pJ/bit的超低功耗，不過三星沒有告知該功耗下的具體數(shù)據(jù)傳輸速率。

據(jù)了解，LLW DRAM在設(shè)計(jì)上可能會(huì)借鑒GDDR6W，并采用扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)將多個(gè)DRAM集成到一個(gè)封裝中。

目前三星已公布技術(shù)的預(yù)期性能細(xì)節(jié)，根據(jù)過往經(jīng)驗(yàn)，LLW DRAM很可能到了開發(fā)階段的尾聲。