從2018年以來，ASML一是在加速EUV技術導入量產；二是擴大EUV生產規模，從2018年的22臺增加到2021年的42臺，2022年逾50臺，2023年生產臺數將進一步增加；三是實驗以0.55 NA取代目前的0.33 NA，具有更高NA的EUV微影系統能將EUV光源投射到較大角度的晶圓，從而提高分辨率，并且實現更小的特征尺寸。

　　0.33 NA

　　目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小時曝光160片晶圓，年產量為140萬片。據悉，NXE:3600D能達到93%的可用性，2023年有望達到進DUV光刻機95%的可用性。

　　從2017年第二季出貨第一臺量產機型TWINSCAN NXE: 3400B至今，包括NXE: 3400B、NXE: 3400C和NXE: 3600D累計出貨超過150臺。

　　根據ASML EUV光刻機路線圖顯示，預計2023年出貨的NXE:3800E最初將以30mJ/cm?的速度提供大過每小時195片的產能，并在吞吐量升級后達到每小時220片，同時在像差、重疊和吞吐量方面進行漸進式光學改進；預計2025年出貨的NXE:4000F，套刻精度為0.8nm，吞吐量每小時220片。

腳注1/2/3表明，初始晶圓每小時規格可能從 20mJ/cm2(250W) 開始，隨后到 30mJ/cm2(500W)，更有可能是60mJ/cm2(500W)

　　0.55NA

　　在提升0.33 NA產能的同時，也在加快0.55 NA的研發進度。EUV光刻機路線圖顯示，2023年將推出0.55 NA的EXE:5000樣機，套刻精度為1.1nm，可用于1納米生產。按照業界當前的情況推測，真正量產機型EXE:5200B出貨可能要等到2024年。英特爾位于亞利桑娜州的D1X P3已經在今年啟用，新的潔凈室在等著2024年安裝EXE:5200B，2025年投產Intel 20工藝。

　　2022年SPIE先進光刻大會傳出消息，ASML在其位于Veldhoven的新潔凈室中已經開始集成第一個0.55 NA EUV設備，原型機有望在2023年上半年完成；同時正在與IMEC建立一個原型機測試工廠，將在其中建造0.55 NA系統，連接到涂層和開發軌道，配備計量設備，并建立與0.55 NA工具開發相伴的基礎設施，包括變形成像、新掩膜技術、計量、抗蝕劑篩選和薄膜圖案化材料開發等，并準備最早在2025年使用生產模型，在2026年實現大批量生產。

　　當然，光刻機作為一個由來自全球近800家供貨商的數十萬個零件組成的“龐然巨物”，僅靠ASML一家努力是遠遠不夠的，其他和光刻機有關的廠商也已全力以赴，一切都在按計劃進行。

　　鏡頭的研發進度肯定影響新機型的出貨時間。蔡司為0.55 NA推出形變鏡頭，新的鏡頭系統在x方向上放大4倍，在y方向上放大8倍，使得曝光光場減半，由原來858mm2（26mm ×33mm）縮小為429 mm2（26mm ×16.5mm）。為了不影響單位生產率，必須通過實現2倍曝光掃描速度來解決因為0.55 NA光刻機系統所帶來的2倍的曝光次數。

　　光源方面，ASML圣地亞哥實驗室已經實現了超過500W的光源功率，從經驗來看，研究開發達到生產需要約2年的時間，2024年實現生產應該沒有問題。500W可以允許0.55 NA半場成像光刻機上在60mJ/cm2曝光能量條件下，吞吐量達到每小時150片的生產效率。

　　EUV光刻膠方面，化學放大光刻膠 (chemically-amplified resists，CAR) 和金屬氧化物光刻膠（metal-oxide resists）還處于推進階段，優化參數仍在評估中，包括劑量敏感性、粘度、涂層均勻性與厚度、可實現的分辨率以及對曝光時材料內光子/離子/電子相互作用。

　　當然還有一個成本問題。目前出貨的0.33 NA光刻機售價約在10億元到15億元之間，那么未來0.55 NA光刻機售價多少合適，估計將翻倍，約在20億元到30億元之間。但是，0.55 NA EUV能夠減少晶圓廠的生產周期，因為單次0.55 NA EUV所需的總處理時間將少于多次通過0.33 NA EUV的總處理時間，生產周期縮短意味著提高了產能；另一方面，也提高了芯片設計的靈活性，可以縮短芯片設計周期。

　　不過目前看來，客戶下單還是挺積極，臺積電、英特爾、三星電子和SK海力士都訂購了0.55 NA光刻機。

　　未來High-NA (0.7 NA)

　　2022年SPIE先進光刻大會上，英特爾的Mark Phillips預測，未來High-NA也許是0.7 NA。就是不知道代價有多大。

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