11月4日，日月光半導(dǎo)體宣布，日月光先進(jìn)封裝VIPack平臺(tái)推出業(yè)界首創(chuàng)的FOCoS（Fan Out Chip on Substrate）扇出型封裝技術(shù)，主要分為Chip First（FOCoS-CF)）以及Chip Last（FOCoS-CL）兩種解決方案，可以更有效提升高性能計(jì)算的性能。

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日月光表示，隨著芯片互連的高密度、高速和低延遲需求不斷增長，F(xiàn)OCoS-CF和FOCoS-CL解決方案是更高層級(jí)的創(chuàng)新封裝技術(shù)。FOCoS-CF和FOCoS-CL方案解決傳統(tǒng)覆晶封裝將系統(tǒng)單芯片（SoC）組裝在基板上的局限性，將兩個(gè)或多個(gè)芯片重組為扇出模組（fan out module），再置于基板上實(shí)現(xiàn)多芯片以及小芯片（Chiplet）的整合。封膠體分隔重布線層（Encapsulant-separated RDL）是一種Chip First技術(shù)，有助于解決傳統(tǒng)重組晶圓制程技術(shù)中的芯片放置和設(shè)計(jì)規(guī)則的相關(guān)問題。

據(jù)悉，F(xiàn)OCoS-CF利用封膠體分隔重布線層改善芯片封裝交互作用（Chip Package Interaction , CPI），在RDL制造階段減低芯片應(yīng)力上的風(fēng)險(xiǎn)以及提供更好的高頻信號(hào)完整性。還可改善高階芯片設(shè)計(jì)規(guī)則，通過減少焊墊間距提高到現(xiàn)有10倍的I/O密度，同時(shí)可整合不同節(jié)點(diǎn)和不同晶圓廠的芯片。

數(shù)據(jù)顯示，F(xiàn)OCoS-CL對(duì)于整合高頻寬存儲(chǔ)（High Bandwidth Memory，HBM）特別有效益，這也是極其重要的技術(shù)領(lǐng)域，能夠優(yōu)化功率效率并節(jié)省空間。隨著HPC、服務(wù)和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)對(duì)HBM 的需求持續(xù)增長，F(xiàn)OCoS-CL提供關(guān)鍵的性能和空間優(yōu)勢(shì)。

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