在上個(gè)月份的最后一天，三星終于宣布量產(chǎn)了3nm GAA晶體管芯片，領(lǐng)先了臺(tái)積電，也終于完成了三星自己定的目標(biāo)，那就是上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

不過(guò)，當(dāng)時(shí)只是一個(gè)說(shuō)法，沒(méi)有展示具體的芯片。而近日，三星表示，預(yù)計(jì)將于下周（也就是7月份的最后一周內(nèi)。）展示量產(chǎn)后的首款 3nm  GAA 芯片。

而哪些廠商，會(huì)是三星的首批客戶，與三星聯(lián)手推出全球首款3nm芯片呢？據(jù)稱(chēng)是中國(guó)大陸的廠商。

而其芯片類(lèi)型是“加密貨幣礦工”芯片，不過(guò)三星也表示，考慮到當(dāng)前加密貨幣市場(chǎng)狀況，這是一個(gè)不能長(zhǎng)期信任的客戶，意思就是能不能長(zhǎng)期合作，三星自己也不清楚。

據(jù)稱(chēng)首批3nm的芯片，是從三星的華城工廠生產(chǎn)的，這里的產(chǎn)能比較小，也就意味著中國(guó)大陸廠商的訂單，早期還是相當(dāng)少的。

與5nm芯片相比，三星的3nm芯片，性能提升了23％，功耗降低了45％，芯片面積縮小了16％。同時(shí)三星還表示，這只是第一代3nm芯片。

而第二代3nm芯片，會(huì)在2023年推出，則功耗降低達(dá) 50％，性能提高 30％，面積減少 35％，比第一代又提升很多。

不過(guò)從三星的描述參數(shù)來(lái)看，三星的3nm與臺(tái)積電的3nm相比，至少是晶體管密度上，還是不如的，至于性能、功耗等方面，就要看具體的芯片發(fā)布后才清楚了。

如上力所示，之前公布的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電的3nm工藝，晶體管密度會(huì)達(dá)到2．9億個(gè)每平方毫米，而三星的3nm工藝，其密度僅為1．7億個(gè)每平方毫米，與臺(tái)積電的5nm工藝差不多。

當(dāng)然，這些只是機(jī)構(gòu)的分析數(shù)據(jù)，最后是不是，就看下周三星發(fā)布的量產(chǎn)芯片，會(huì)是什么樣的情況了，如果三星這次進(jìn)步很大，那臺(tái)積電就真的要小心了。