今天，三星電子在官網(wǎng)宣布，公司位于韓國的華城工廠已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3nm制程半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn)3nm芯片的公司。

　　這意味著，在新一代芯片工藝的節(jié)點上，三星成功實現(xiàn)了對臺積電的彎道超車，搶先拿下了3nm芯片市場。

　　根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

　　與5nm相比，新開發(fā)的3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。

　　不過，雖然在3nm工藝上三星拔得頭籌，但這并不代表三星在芯片代工市場上就能夠一帆風(fēng)順。

　　一方面，臺積電正在計劃于2025年實現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，這意味著三星方面需要加緊新技術(shù)的研發(fā)工作，以防在下一代新技術(shù)上被臺積電反超。

　　另一方面，由于4nm制程芯片的功耗問題，高通等重要客戶對三星的3nm制程工藝目前都保持觀望態(tài)度，不敢隨意進行嘗試。