2019年6月3日，人們?nèi)請(qǐng)?bào)消息稱，工業(yè)和信息化部將于近期發(fā)放5G商用牌照，我國(guó)將正式進(jìn)入5G商用元年。

　　5G技術(shù)的建設(shè)和發(fā)展提高了電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻的器件需求，與此同時(shí)，新能源汽車、汽車電子、軌道交通等產(chǎn)業(yè)的快速推進(jìn)，對(duì)微電子元件領(lǐng)域的要求也越來(lái)越高。于是第三代半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生。

　　氮化鎵（GaN）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、低能耗、適合高頻率、支持寬帶寬等特點(diǎn)，是實(shí)現(xiàn)5G的關(guān)鍵材料。

　　據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2020年末，GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至目前的2.5倍。2019-2020年，5G網(wǎng)絡(luò)的實(shí)施將接棒推動(dòng)GaN市場(chǎng)增長(zhǎng)。未來(lái)10年，GaN市場(chǎng)將有望超過30億美元。

　　5G元年開啟，氮化鎵半導(dǎo)體材料有哪些機(jī)遇？新材料在線?獨(dú)家編寫《2019年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告》為您揭秘。

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