4月16日，三星官網發布消息稱，三星電子已經成功完成5nm EUV開發，以實現芯片的更大面積擴展和帶來超低功耗。

　　三星電子稱，其5納米（nm）FinFET工藝技術的開發已經完成，現在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產品中添加另一個尖端節點，三星稱再次證明了其在先進晶圓代工市場的領導地位。

　　與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，從而能夠擁有更多創新的標準單元架構。

　　三星稱，5nm的另一個主要優點是可以將所有7nm知識產權（IP）重用到5nm。因此，7nm客戶過渡到5nm將極大地受益于降低的遷移成本，預先驗證的設計生態系統，從而縮短他們的5nm產品開發時間。

　　“成功完成5nm開發，我們已經證明了我們在基于EUV的節點中的能力，”三星電子鑄造業務執行副總裁Charlie Bae說。“為響應客戶對先進工藝技術不斷增長的需求，以區分其下一代產品，我們繼續致力于加速基于EUV技術的批量生產。”

　　2018年10月，三星宣布準備并初步生產7nm工藝，這是其首個采用EUV光刻技術的工藝節點。該公司已提供業界首批基于EUV的新產品的商業樣品，并于今年初開始量產7nm工藝。

　　此外，三星還在推動其6nm的工藝導入客戶端，這是一個定制的基于EUV的工藝節點，并且客戶已經收到了其首款6nm芯片的流片產品。

　　三星代工廠基于EUV的工藝技術目前正在韓國華城的S3生產線上生產。此外，三星將把其EUV產能擴大到華城的新EUV生產線，該生產線預計將在2019年下半年完成，并從明年開始增產。