閃存是一種非易失性存儲器，即斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。閃存卡(Flash Card)是利用閃存(Flash Memory)技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數(shù)碼相機，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質。

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2月26日，美光發(fā)布了專為安卓旗艦機打造的UFS 2.1標準閃存，容量設計為64GB、128GB和256GB。

顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強調基于人工智能技術進行了APP打開、運行有關的性能優(yōu)化。

由于是第二代3D閃存，美光稱性能提升了50%。

單Die面積59.341mm2，32GB，號稱業(yè)內最小。因此，在同樣芯片面積下的總容量翻番。

新閃存將于今春發(fā)貨，2018年下半年開始出現(xiàn)在智能機中。

由于此前，UFS2.1能穩(wěn)定供貨的只有三星和東芝，導致價格較高，美光的強勢加入將有助于廠商增加議價的籌碼，給消費者創(chuàng)造實惠。

閃存正朝大容量、低功耗、低成本的方向發(fā)展。隨著制造工藝的提高、成本的降低，閃存將更多地出現(xiàn)在日常生活之中。