9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會（China Flash Market Summit 2017）在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內外產業鏈重要企業嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業界知名企業領導。

當天吸引全球近700家企業參會，其中包括西部數據、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯想、中興、百度、阿里巴巴等企業參會，涵蓋領域包括存儲企業、手機、電腦、汽車、工業、大數據應用等，觀眾超過1200人。中國閃存市場（China Flash Market）總經理邰煒現場針對全球存儲市場格局變化和中國存儲產業發展機遇進行了存儲行業數據分析和報告。

NAND Flash大漲價，原廠技術向3D NAND切換是主因 

眾所周知，原廠技術由于向3D NAND發展，技術轉換的空窗期導致市場缺貨，NAND Flash價格出現了有史以來最大且持續最長的上漲。據中國閃存市場ChinaFlashMarket報價，NAND Flash每GB的價格從2016年的0.12美金一路上漲至0.3美金，主流的eMMC價格上漲60%以上，SSD價格超過80%，對產業影響巨大。

邰煒表示，3D NAND因為是新技術，比2D技術要復雜，工時更長，而且各家都一起投產3D NAND，導致晶圓生產設備供應不上，以至于原廠3D NAND量產時間是要比原計劃推遲，這也是2017年市場仍然供不應求的一個原因。

市場缺貨、漲價到何時？原廠64層3D NAND量產進程是關鍵

雖然2017年市場NAND Flash供貨緊缺的市況較2016年有所緩解，但原廠售價依然較高，部分供貨依然不足，而且現在正值需求旺季，業內人士非常關心市場NAND Flash缺貨要到什么時候，后續市場將如何發展？

邰煒認為，原廠64層3D NAND技術進展，以及Fab工廠投產情況是影響NAND Flash市場后續發展的關鍵。在2D制程技術方面，目前三星量產的是14nm的128Gbit MLC/TLC；東芝/WD還是量產的15nm 128Gbit MLC/TLC；美光和英特爾量產16nm 128Gbit MLC滿足高階市場；SK 海力士量產14nm的128Gbit TLC。

3D技術部分，三星、東芝/WD、美光/英特爾均量產的是64層3D NAND，SK海力士量產72層3D NAND，其中三星64層3D NAND已用于自家產品，64層3D NAND在Q4將供貨給客戶；東芝64層256Gbit已經量產；美光64層B16A（256Gbit）已經量產，B17A要再等兩個月；SK海力士正在轉72層TLC 256Gbit/512Gbit。

可以看到，各家原廠64層和72層 3D NAND都是量產的256Gbit/512Gbit兩種規格容量，相較于2D制程工藝可極限量產的128Git，容量提升了3倍。3D技術下一個階段的96層，容量將可提升到1Tbit，將是2D可量產最大容量的8倍。

原廠新3D NAND產能優先滿足手機和SSD市場需求，給部分市場供貨仍會缺到年底

邰煒介紹了原廠各家量產3D NAND和Fab工廠新的動向，其中三星3D NAND生產工廠是中國西安工廠，Fab18工廠，另外西安工廠正在建設第二條產線；東芝和西部數據則主要是Fab 5和Fab 2工廠，并正在為96層量產新建Fab 6工廠，美光和英特爾主要是F10X和大連工廠，SK海力士主要是M14工廠。

中國閃存市場ChinaFlashMarket預計2017年NAND Flash存儲密度達到1620億GB當量，年增長40%。邰煒表示，由于原廠全部集中在3D NAND上生產，2D NAND產出會減少，但因為市場小容量需求的存在，還有尺寸的關系，2D還是會持續2~3年的時間，用在工業、監控、汽車等領域，3D NAND在某些領域還需要時間去驗證。

雖然原廠新3D NAND產出增加，但也并不能完全解決缺貨的問題，因為原廠會優先供貨給服務器的SSD市場，以及手機市場的需求，預計2017年智能型手機出貨將達15億臺，且用戶對128GB需求較高，蘋果新iPhone最高容量可能再翻倍，預計部分市場供貨緊張將持續到年底。