臺積電因連續在14/16nmFinFET、10nm工藝上落后于三星，其急于在7nm工藝上取得領先優勢，宣布將在明年初量產7nm工藝，三星也在明年量產7nm工藝，不過后者明年就會引入EUV（極紫外光微影）技術，在事實上領先臺積電。

這一情形，其實在16nmFinFET工藝上出現過，當時臺積電率先于2014年三季度投產16nm工藝，然而因為該工藝的能效不如20nm，導致少有客戶采用，僅有的兩個客戶之一的華為海思也不過是用16nm工藝生產其對能效要求不高的網通處理器，其兩個大客戶高通和蘋果都采用20nm工藝生產驍龍810、A8處理器。

于是臺積電加緊為16nm引入FinFET工藝，直到2015年三季度才投產16nmFinFET工藝，而三星則在2015年一季度即投產14nmFinFET工藝。

由于三星的14nmFinFET工藝表現優異，采用該工藝生產的Exynos7420處理器表現優異；而采用臺積電20nm工藝生產的高通的驍龍810出現了發熱問題，驍龍810是高通首款采用ARM公版核心A57和A53的芯片，受驍龍810發熱的影響，華為海思和聯發科都放棄了采用ARM高性能公版核心A57推手機芯片的計劃，這讓三星的Exynos7420成為2015年Android手機芯片市場的性能之王。

三星于2016年四季度量產10nm工藝，臺積電則于今年初量產10nm工藝，兩家都出現了良率問題。似乎三星10nm工藝的良率提升較快，采用該工藝生產的驍龍835和Exynos8895芯片開始規模上市并用于它自家的Galaxy S8手機上，中國大陸的手機品牌小米也已采用驍龍835芯片推出小米6手機，再次領先臺積電一局。

為扳回局面，臺積電宣布將在明年初量產7nm工藝，有可能先于三星量產7nm工藝。不過消息指臺積電的7nm工藝并沒引入EUV（極紫外光微影）技術，其要到2019年才會推出采用EUV技術的7nm工藝，重演了16nmFinFET的歷史，三星的7nm工藝則會引入EUV技術。

三星率先引入EUV技術，將會幫助它在更先進的5nm等工藝上領先臺積電。EUV光刻被認為肩負著縮小晶體管尺寸的重任，是開發7nm、5nm等更先進工藝的關鍵，這與FinFET工藝幫助半導體制造工廠從20nm工藝提升至14/16nm相似。

當然三星方面似乎也擔心自己采用EUV技術的7nm工藝能否按時量產，將會推出10nm工藝的改良版8nm工藝，以與臺積電的7nm工藝競爭。

這就引發了一場爭論，高通的下一代高端芯片驍龍845會采用臺積電的7nm、三星的8nm或者采用EUV技術的7nm？考慮到臺積電的先進工藝產能難以滿足蘋果和高通兩大芯片企業的需求以及三星采用EUV技術的7nm工藝無法在明年初量產的問題，驍龍845很可能會采用三星的8nm工藝。