之前三星宣布自家8/7/6/5/4nm工藝已在路上，今天臺(tái)積電也不甘示弱地宣稱將在2018年量產(chǎn)7nm，而且一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。
Intel將被反超 臺(tái)積電7nm工藝明年投產(chǎn)
EUV技術(shù)是半導(dǎo)體領(lǐng)域多年來一直夢寐以求的里程碑式技術(shù)，如果達(dá)成可以大大向前推進(jìn)摩爾定律，并大幅度提高產(chǎn)能，但該技術(shù)過于復(fù)雜，一再推遲，就連Intel也始終搞不定。
三星計(jì)劃在7nm工藝上首次使用EUV，時(shí)間點(diǎn)不詳，估計(jì)最快也得2019年，理論上和臺(tái)積電差不多。
7nm工藝則可以同時(shí)適用于移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算和汽車領(lǐng)域，目前已有12款移動(dòng)芯片完成流片。據(jù)稱AMD、NVIDIA都會(huì)使用臺(tái)積電7nm。
繼續(xù)往前，臺(tái)積電的5nm則主打移動(dòng)設(shè)備和高性能計(jì)算，以及2019年試產(chǎn)。
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