晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）技術長帕頓（Gary Patton）日前說明在2014年買下IBM半導體事業后有關14納米及7納米技術發展近況。同時，為與同業建立市場區隔，格羅方德也投入FD-SOI（全耗盡型絕緣層上覆硅）市場，并推出22/12FDX制程平臺搶進物聯網芯片代工市場。

　　近期市場傳出格羅方德可能暫緩大陸重慶合資晶圓廠的計劃，帕頓予以否認，并表示在大陸擁有自己的生產據點是很重要的策略，預期未來幾年格羅方德在大陸的營收將有倍數成長，而未來重慶廠主要角色是支援新加坡廠的產能及技術，會先由0.13/0.18微米制程開始。

　　格羅方德向三星取得14納米技術授權后，目前已進入量產。帕頓表示，在14納米部分，格羅方德去年第4季良率提升到成熟穩定階段后，今年第2季順利推出基于14納米的制程設計套件（PDK），格羅方德至今已出貨數百萬顆14納米芯片，同時有超過30個客戶共同合作。

　　7納米技術部分，格羅方德預計2018年第1季進行風險生產，已有客戶進行設計及認證，主要針對高效能運算市場所設計，特別是在服務器及資料中心采用的芯片。由于7納米制程的功耗上明顯優于上一代的14納米，也十分適合應用在5G基礎建設等網絡通訊處理器市場。

　　至于在價格競爭較激烈的移動設備應用處理器部分，格羅方德也會提供7納米晶圓代工服務，除了每片晶圓可切割的芯片數可較上代的14納米多出1倍，每顆芯片成本可降低30%，最明顯的仍是在功耗上的降低可大于60%。

　　帕頓說明，7納米的設計上是可以支援極紫外光（EUV）微影技術，雖然目前主要仍是采用浸潤式微影，但只要EUV技術可以進入量產，格羅方德的7納米也可以直接轉進采用EUV微影技術。而來自IBM的團隊也提供了格羅方德很大的研發能力。

　　格羅方德也推出針對物聯網低功耗芯片量身打造的22納米制程及22FDX平臺，該制程主要是基于FD-SOI制程開發出來的，除了可提供非常低功耗、達到類似鰭式場效電晶體（FinFET）的效能外，在成本上則與傳統28納米制程相近。

　　格羅方德22FDX平臺已在今年第2季推出制程設計套件，約有50個客戶共同加入合作，預期在今年第4季進行風險生產，明年第1季可以進入量產。格羅方德也宣布將在2019年推進至12納米的12FDX制程平臺，等于提供完整的制程微縮及建立起FD-SOI技術藍圖。