面對英特爾（Intel）、三星（Samsung）雙雙宣布旗下14納米鰭式場效應電晶體（FinFET）處理器正式邁入量產，臺積電亦不甘示弱，將于今年第二季量產16納米FinFET強效版制程（16FF+），拉升芯片效能和功耗表現；此外，安謀國際（ARM）與賽靈思（Xilinx）也已接連揭橥  16FF+相關產品藍圖，將有助臺積電在1x納米制程市場扳回一城。

　　工研院IEK電子組系統IC與制程研究部研究經理彭茂榮表示，臺積電挾在晶圓代工領域長久累積經驗，在短時間內將原先規畫的16納米FinFET升級為效能更強、功耗更低的16FF+，并將量產時間提前至2015年第二季，目的除追趕半導體一哥英特爾發展腳步外，亦有防堵三星趁隙崛起的意味。即便14納米已先一步投產，但從16FF+良率與性能不斷攀升，且可望在今年底前完成數十  件設計定案（Tape Out）的進度來看，2015年16FF+市占率可望先蹲后跳。

　　安謀國際移動通訊暨數位家庭部門資深市場經理林修平指出，半導體產業正面臨電晶體制造技術由平面轉向立體式的轉捩點，因此該公司也加緊與臺積電展開16FF+設計驗證，并已正式發布16FF+  POP（Process Optimization  Pack）矽智財（IP），以及支援該制程的Cortex-A72、Mali-T880等處理器核心，將有助系統單晶片（SoC）合作夥伴加速實現基于  FinFET架構的解決方案。

　　相較于三星14納米制程目前僅能用于自家處理器的進展，臺積電與安謀國際聯手出擊，對16FF+制程推廣將大有助益。事實上，安謀國際也坦言，其與多家晶圓廠合作，分別發展16和14納米制程，但目前僅揭橥16FF+  POP IP，在14納米方面則尚未有對應方案；此也讓未來的1x納米FinFET技術戰局更添變數。

　　賽靈思全球資深副總裁暨亞太區執行總裁湯立  人強調，看中16FF+的效能功耗比更加出色，賽靈思也延續與臺積電在先進制程技術上的合作，宣布將于今年第二季量產新系列16納米系統單晶片現場可編程 閘陣列（SoC  FPGA）--UltraScale+，可望較先前28納米方案提高二到五倍的效能功耗比，進而滿足5G行動通訊網路、400G光傳輸網路，以及  8K×4K影像處理機制等前瞻科技的先期研發需求。

　　臺積電透露，相較于平面式電晶體結構的20納米制程，16FF+速度增快40%，在相  同速度下功耗則降低50%，系建構下世代高階行動運算、網通及消費性產品SoC的關鍵利器；現階段，16FF+已開始試產，預計今年中全面導入量產，并將  于11月前完成所有可靠性驗證，年底前則可望發表近六十件設計定案。