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富士通首推两款125℃规格的低功耗SiP存储器

2009-05-27
作者:富士通

?? 富士通(Fujitsu)微電子(上海)有限公司日前宣布推出兩款新型消費類FCRAM存儲器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口,是業界首推的將工作溫度范圍擴大至125℃的芯片。富士通微電子已開始提供這兩款新型FCRAM產品。這兩款低功耗存儲器適用于數字電視、數字視頻攝像機等消費類電子產品的系統級封裝(SiP)。

如果SiP架構上的片上系統(SoC)整合了新型FCRAM芯片,當SiP工作速度提高導致工作溫度上升時,存儲器也不會對操作造成影響或限制,客戶將從中受益。此外,它還具有其它優勢,如可降低產品設計開發難度,節省電路板空間,并減少元器件數量。


?? 目前,市場對消費類數字產品的性能、速度和開發成本的要求越來越高。為滿足這些需求,就會更多地使用SiP,要求它同時整合帶有SoC的存儲器芯片。使用SiP可以減少元器件數量并節省電路板空間,進而能夠降低系統成本。使用SiP還能簡化高速存儲器開發或采取降噪措施等設計。


?? 即使在125℃的環境下運行,這些新型FCRAM產品也可以提供傳統DDR SDRAM存儲器兩倍的數據傳輸率,同時還能保持低功耗。事實上,與傳統的DDR2 SDRAM存儲器相比,新型512 Mb FCRAM能降低功耗達50%。所以,這些新型FCRAM可以減少消費類電子產品的存儲器的二氧化碳排放達50%。

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