根據DRAMeXchange調查，四月上旬DDR3合約價再度呈現價格上揚的趨勢，DDR3 2GB均價自17美元上漲至18美元(2Gb $2.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價亦上漲至35美元(2Gb $2.03)，漲幅約在6.1%，從市場面來觀察，由于日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起硅晶圓搶料作戰，硅晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產業需求，加上DRAM廠普遍都有一個月以上的庫存量來看，目前維持正常投片的能見度可至第二季末，但長期來看，如果硅晶圓大廠如信越化學及SUMCO不能在近期恢復正常運作，DRAM供應煉受到沖擊勢必在未來將陸續浮現，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制程良率出現問題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對于DRAM廠未來是否能供貨穩定度增添疑慮，部份PC-OEM廠決定拉高庫存水位，需求轉趨積極下，跟DRAM廠議定合約價時亦接受較高的價格，也是讓四月上旬合約價攀升的主要原因。

震后DRAM產業加速轉往Flash、DDR3

日本東北大地震過后近一個月，原物料短缺問題陸續浮出臺面，半導體產業尤其以信越化學及SUMCO的東北工廠遲未復工影響最大，全球硅晶圓產能頓失20-25%，面對原物料可能短缺，DRAM廠勢必暫緩低毛利及低制程產品生產，轉向高附加價格產品及加速制程轉進速度來降低未來原物料可能短缺的沖擊。

根據集邦科技的調查，韓系廠商如三星及海力士由于同時有DRAM及Flash兩大產品生產，如三星計劃將部份DRAM產能轉向NAND Flash產品，顯見NAND Flash產品后市比DRAM產品更為看好，如果面對硅晶圓短缺，將滿足Flash產品為優先，而日系廠爾必達也已暫緩廣島廠中標準型DRAM生產，廠內僅保留附加價值高的行動式內存生產及部份代工業務，并將標準型DRAM生產全數轉交子公司瑞晶及代工廠力晶，瑞晶方面也將加速38nm及下半年32nm制程轉進，即使面對投片的不確定性，亦能保持產出量不變，力晶方面也將拉高45nm制程投片與毛利較高的代工業務比例，確保獲利能力不受地震影響，而南科與華亞科，算是震災中上下游供應煉較為無虞的廠商，但產品結構的改變上仍按照原訂計劃進行，南科在下半年將有行動式內存正式量產，華亞科亦希望可以在下半年加重移動內存及服務器用內存的比例，而茂德方面已經在評估DDR3 2Gb生產的可能性，也希望讓震災后的沖擊減至最小，華邦自去年已將產品重整并轉向生產毛利較高的產品，只要硅晶圓供應無虞下，今年應可維持不錯的表現。