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?? 美光" title="美光">美光科技有限公司(Micron)宣布，美光與太陽微系統公司(Sun Microsystems, Inc.，下稱Sun公司)合作開發了新的單層單元(SLC)企業級N技術，能夠大幅延長企業級應用的閃存存儲使用壽命。雙方通過合作，開發了可重復寫入次數達100萬次的量產" title="量產">量產型設備。這一里程碑將有助于行業為Sun、美光等公司創造的固態存儲的新用途做好準備。采用這項新技術，可寫入/擦除次數能達到市場上現有N技術的最高水平。

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??? 美光公司" title="美光公司">美光公司存儲器事業部副總裁Brian Shirley說，“美光很高興能與Sun公司合作取得這一成績，這能使閃存擺脫過去標準單層單元和多層單元N在可寫入/擦除次數方面固有的種種限制，得以應用于新的應用產品。我們相信，這一技術將徹底改變企業存儲的格局，將廣泛應用于固態驅動器" title="固態驅動器">固態驅動器與存儲系統、磁盤緩存以及網絡和工業應用等各類事務密集型應用。”

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??? Sun公司閃存首席技術專家Michael Cornwell說，“隨著企業級固態驅動器閃存技術" title="閃存技術">閃存技術的市場不斷成熟，Sun公司等企業將技術創新與下一代開源軟件相結合，推出基于閃存的存儲產品。這類產品的形式大為簡化，性能也有明顯突破，但成本僅為傳統的磁盤存儲系統的一小部分。作為閃存式存儲解決方案領域的領先企業，Sun公司與美光公司密切合作，設計出了這項新一代N技術，讓客戶從現在開始就能利用下一代閃存技術。”

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??? 美光公司目前提供其企業級N閃存試用產品，存儲密度最高達32Gb。產品預計于2009年一季度投入量產。美光公司還準備明年初采用其34nm N工藝，推出單層單元和多層單元這兩種形式的企業級N產品。