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Imagination推出性能最高且具有高等级功能安全性的汽车GPU IP

發表于：2024/9/12 上午8:26:00

關鍵詞：

Imagination

汽车图形处理器

GPU

Pickering Interfaces 发布最新可编程电阻模块

PXI/PXIe 仿真模块提供多种电阻范围和分辨率，以满足大多数功能测试系统的需求

發表于：2024/9/11 上午11:46:43

關鍵詞：

可编程电阻器

PXI

Pickering

核力创芯首批氢离子注入性能优化芯片产品交付

仅次于光刻、我国半导体制造核心技术突破，核力创芯首批氢离子注入性能优化芯片产品交付国家电投表示，这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

發表于：2024/9/11 上午11:30:00

關鍵詞：

核力创芯

功率芯片质子辐照

功率半导体

氢离子注入性能优化芯片

世界先进携手汉磊开发8英寸碳化硅晶圆

世界先进斥资5.5亿元认购汉磊13%股权，携手开发8英寸碳化硅晶圆

發表于：2024/9/11 上午11:02:01

關鍵詞：

世界先进

汉磊

碳化硅晶圆

新思科技发布全球领先的40G UCIe IP

新思科技发布全球领先的40G UCIe IP，助力多芯片系统设计全面提速

發表于：2024/9/11 上午10:51:00

關鍵詞：

新思科技

40GUCIeIP

多芯片系统设计

微软联合Atom 开发全球最强量子计算机

微软联合Atom 开发全球最强量子计算机，物理量子比特数超1200个

發表于：2024/9/11 上午10:31:21

關鍵詞：

微软

Atom

量子计算机

物理量子比特

高通与联发科下一代旗舰芯片决战全大核时代

移动芯片步入全大核时代，高通、联发科决战下一代旗舰芯

發表于：2024/9/11 上午10:22:00

關鍵詞：

移动芯片

高通

联发科

SK海力士面向数据中心发布PEB110 SSD

9 月 11 日消息，SK 海力士（SK hynix）昨日（9 月 10 日）宣布成功开发适用于数据中心的高性能固态硬盘 PEB110 E1.S（以下简称 PEB110）。 PEB110 简介 PEB110 采用第五代 PCIe，带宽比现有第四代 (Gen4) 高一倍，数据传输速度达到了 32 GT/s（千兆传输 / 秒），由此性能较上一代产品提高 1 倍，能效提升 30% 以上。

發表于：2024/9/11 上午9:59:39

關鍵詞：

SK海力士

PEB110

高性能固态硬盘

美光宣布单颗36GB HBM3E内存

9月10日消息，美光官方宣布，已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存，单颗容量达36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。它将用于顶尖的AI、HPC计算产品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，单卡就能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型，不再需要频繁调用CPU，从而减少延迟、提高数据处理效率。美光12-Hi 36GB HBM3E内存还有着9.2Gbps的超高速率，单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽，而且功耗比8-Hi版本更低。台积电CoWoS封装技术制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术，彼此可以轻松搭配。支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试)，可以模拟全速下的系统负载，方便快速完成测试验证，加快上市。美光表示，12-Hi HBM3E已经提供给关键伙伴进行验证。

發表于：2024/9/11 上午9:50:35

關鍵詞：

美光

HBM3E

12-Hi堆栈

合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通

發表于：2024/9/11 上午9:39:31

關鍵詞：

合盛硅业

4H-SiC衬底

8英寸

第三代半导体

欧盟计划降低对自中国进口电动汽车拟议的加征关税

9 月 10 日消息，据彭博社报道，欧盟计划对从中国进口的电动汽车征收的附加关税进行小幅下调，特斯拉的拟议关税率将从 9% 降至略低于 8%。知情人士称，欧盟根据各公司提供的新信息做出上述调整。

發表于：2024/9/11 上午9:31:03

關鍵詞：

电动汽车

加征关税

英特尔Arrow Lake处理器被爆推迟至10月24日发布

消息称英特尔 Arrow Lake 处理器推迟至 10 月 24 日发布

發表于：2024/9/11 上午9:13:39

關鍵詞：

英特尔

ArrowLake

Omdia预计2030年卫星物联网收入超15亿美元

發表于：2024/9/11 上午9:05:00

關鍵詞：

卫星物联网

手机直连卫星

设备通信

SK启方半导体推出第四代0.18微米BCD工艺

9月11日电，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）宣布推出其第四代0.18微米BCD工艺，性能较之前的第三代提升了约20%。SK启方方面表示，公司期望第四代0.18微米BCD工艺能够帮助延长移动设备的电池寿命、通过减少发热实现稳定的性能，并通过提高汽车用功率半导体的能源效率来改善整体性能。

發表于：2024/9/11 上午8:55:53

關鍵詞：

SK启方半导体

BCD工艺

功率半导体

晶圆代工

丰田固态电池生产计划获得日本政府批准

丰田固态电池生产计划获得日本政府批准，2026 年启动生产

發表于：2024/9/11 上午8:44:00

關鍵詞：

丰田

固态电池

混合动力