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消息称三星下代400+层V-NAND 2026年推出

10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。

發表于：2024/10/30 上午11:22:15

關鍵詞：

三星

NAND

DRAM

VCT结构

英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆

10月29日消息，据英飞凌官方消息，近日，英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，该直径为300mm的晶圆的厚度仅为20μm，仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。英飞凌表示，这是其继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。

發表于：2024/10/30 上午11:15:51

關鍵詞：

英飞凌

硅功率晶圆

功率半导体

商务部回应欧盟对华电动汽车反补贴调查终裁

10 月 30 日消息，从商务部官网获悉，商务部新闻发言人就欧盟公布对华电动汽车反补贴调查终裁结果答记者问。

發表于：2024/10/30 上午11:10:05

關鍵詞：

电动汽车

反补贴调查

比亚迪

吉利

上汽

Arm回应Intel和AMD史无前例联合挑战

10月29日消息，前不久x86平台两大巨头英特尔和AMD宣布携手合作，外界普遍认为此举是为了联合防御Arm的进逼。对此，Arm资深副总裁Chris Bergey在Arm Tech Symposia 2024大会后表示，英特尔与AMD的合作旨在解决开发者平台适应性问题，寻求平台最佳化，而Arm已有30年的平台经验，对此并不担忧。 Chris Bergey指出，英特尔与AMD的合作重点在于开发者需要适合的平台和提高平台的开发者效率，两家平台都存在各自的问题，需要合作改善。

發表于：2024/10/30 上午10:50:28

關鍵詞：

ARM

X86平台

英特尔

AMD

美对华芯片和AI投资限制升级

当地时间10月28日，美国财政部宣布，限制美国企业和美国人向中国半导体、人工智能（AI）和量子领域投资的“最终规则”，在征求民营企业意见的基础上，决定从2025年1月2日起生效。早在2023年8月9日，美国总统拜登就签署了第 14105 号行政命令——“解决美国在受关注国家对某些国家安全技术和产品的投资问题”（出境命令）。该“对外投资禁令”描述了受关注国家为推动敏感技术和产品开发而采取的战略。称受关注国家正在利用或有能力利用某些美国对外投资，包括通常伴随美国投资并有助于公司成功的某些无形利益。这些无形利益包括提高地位和知名度、管理援助、投资和人才网络、市场准入以及增强获得额外融资的机会。某些美国对外投资可能会加速和促进受关注国家成功开发敏感技术和产品，这些国家开发这些技术和产品是为了对抗美国及其盟友的能力。在“对外投资禁令”中，美国将中国大陆以及香港特别行政区和澳门特别行政区列为受关注地区。

發表于：2024/10/30 上午10:41:02

關鍵詞：

对外投资禁令

半导体

人工智能

量子领域

神舟十九号载人飞船发射成功

10月30日消息，据中国载人航天公众号，今天4时27分，搭载神舟十九号载人飞船的长征二号F遥十九运载火箭在酒泉卫星发射中心点火发射。约10分钟后，神舟十九号载人飞船与火箭成功分离，进入预定轨道，航天员乘组状态良好，发射取得圆满成功。

發表于：2024/10/30 上午10:35:12

關鍵詞：

神舟十九

载人飞船

空间站

消息称台积电拟收购更多群创工厂扩产先进封装

据报道，半导体设备公司的消息人士透露，今年8月收购了群创在南科的5.5代LCD面板厂的台积电，打算在其已收购的工厂附近收购更多的群创工厂。

發表于：2024/10/30 上午10:21:36

關鍵詞：

台积电

先进封装

群创

消息称OpenAI正联手博通和台积电打造自研芯片

10月30日消息，据路透社援引知情人士消息称，OpenAI 正携手 Broadcom 和台积电开发首款自研 AI 芯片，并在英伟达芯片的基础上增添 AMD 芯片，以应对急剧扩张的基础设施需求。

發表于：2024/10/30 上午10:02:09

關鍵詞：

OpenAI

博通

台积电

AI芯片

莱迪思宣布开发者大会演讲嘉宾阵容

　　中国上海——2024年10月24日——莱迪思半导体公司（NASDAQ：LSCC）低功耗可编程器件的领先供应商，今日宣布了将于2024年12月10日至11日举行的莱迪思开发者大会的完整议程和演讲者阵容。

發表于：2024/10/29 下午10:07:30

關鍵詞：

莱迪思半导体

莱迪思开发者大会

FPGA

瑞萨携手英特尔，为英特尔全新酷睿Ultra 200V系列处理器打造先进电源管理解决方案

　　2024 年 10 月 24 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布与英特尔携手，推出一款电源管理解决方案，为搭载英特尔®全新酷睿™ Ultra 200V系列处理器的笔记本电脑实现最佳的电池效率。

發表于：2024/10/29 下午9:55:06

關鍵詞：

瑞萨电子

英特尔

电源管理

东芝推出输出耐压为900 V的小型封装车载光继电器

　　中国上海，2024年10月24日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出一款输出耐压为900 V（最小值）的车载光继电器[1]——TLX9150M，采用小型SO12L-T封装，非常适合400 V车载电池应用。现已开始批量供货。

發表于：2024/10/29 下午9:46:08

關鍵詞：

东芝

TLX9150M

车载光继电器

Melexis创新推出集成唤醒功能的汽车制动踏板位置传感器芯片方案

　　2024年10月24日，比利时泰森德洛——全球微电子工程公司Melexis宣布，推出MLX90424，这是一款简化汽车刹车踏板传感过程的经济高效的解决方案。为实现功能安全，该产品将两个位置传感器芯片和一个唤醒开关集成于单一封装组件中。此外，该解决方案能够直接由12V电源供电，并实现高达30mm的线性位移精确测量。

發表于：2024/10/29 下午9:31:05

關鍵詞：

Melexis

MLX90424

传感器芯片

大联大友尚集团推出基于ST产品的30kW Vienna PFC 整流器参考设计方案

　　2024年10月24日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STM32G474RET3 MCU、STPSC40H12C SiC肖特基二极管、SCT018W65G3-4AG SiC MOSFET和STGAP2SICS电流隔离驱动器IC的30kW Vienna PFC整流器参考设计方案（STDES-30KWVRECT）。

發表于：2024/10/29 下午9:16:45

關鍵詞：

大联大控股

充电技术

电动汽车

Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压

　　美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2024年10月24日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns。

發表于：2024/10/29 下午9:09:47

關鍵詞：

Vishay

VOFD341A

VOFD343A

Intel第一份分解式GPU设计专利曝光

10月29日消息，Intel首款采用Chiplets（芯粒）设计的桌面处理器Arrow Lake——酷睿Ultra 200S全球首发之后，其第一份“分解式”GPU设计专利也随之曝光。本月早些时候，Intel申请了一份分解式GPU架构的专利，这可能是第一个具有逻辑小芯片的商业GPU架构。

發表于：2024/10/29 下午1:15:59

關鍵詞：

Intel

分解式GPU

Chiplets

ArrowLake

酷睿Ultra