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凌力尔特
凌力尔特 相關文章(339篇)
ADI与Linear合并完成,对电源管理IC市场影响几何?
發表于:2018/11/10 下午10:56:44
无线传感器网络使半导体晶圆制造厂保持高效率运行
發表于:2017/11/15 上午5:00:00
25A µModule 稳压器支持 N+1 冗余 以在故障情况下确保电源可用性
發表于:2017/10/15 下午6:51:18
采用 6.25mm x 4mm BGA 封装的 40VIN 2A Silent Switcher µModule 稳压器
發表于:2017/10/15 下午6:33:23
采用 6.25mm x 6.25mm BGA 封装的 Silent Switcher 42VIN 2.5A µModule 稳压器
發表于:2017/10/11 下午4:27:57
快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
發表于:2017/9/16 下午5:24:00
具 15μA IQ 的 42V 多拓扑 DC/DC 控制器
發表于:2017/9/15 下午7:23:06
双输入优先级排序器提供低静态电流 备份电源切换解决方案
發表于:2017/9/15 下午3:21:59
58VIN 24W 负输出µModule 稳压器
發表于:2017/9/12 下午5:23:52
具 9µA 静态电流的 2A 2MHz
發表于:2017/8/29 下午9:59:14
20V 20A 单片同步 Silent Switcher 2 降压型稳压器
發表于:2017/7/30 下午10:52:00
105V 2.3A 同步降压型稳压器
發表于:2017/7/19 下午9:03:00
高度集成的 36V 降压型电池充电器 提供无缝备份电源
發表于:2017/7/19 下午8:34:00
快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
發表于:2017/7/14 下午9:07:00
采用 Silent Switcher 拓扑的 36V、2A 单片同步
發表于:2017/7/12 下午8:16:00
业界最低功耗零漂移运算放大器仅消耗 1.3μA 电流
發表于:2017/7/11 下午8:38:00
快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
發表于:2017/7/10 下午10:55:00
采用紧凑型 4mm x 5mm QFN 封装
發表于:2017/7/2 下午9:57:00
极其坚固的 RS485 收发器满足 IEC Level 4 ESD 标准要求
發表于:2017/6/30 下午10:12:00
42V 2A/3A 峰值 (IOUT) 同步降压型 Silent Switcher 2
發表于:2017/6/30 下午10:00:00
具扩展频谱调制功能的 17V 4MHz 双输出 3.5A 同步降压型稳压器
發表于:2017/6/28 下午10:45:00
具扩展频谱调制功能的 17V 4MHz 双输出 3.5A 同步降压型稳压器
發表于:2017/6/28 下午10:45:00
72V 固定比例 DC/DC 控制器无需功率电感器
發表于:2017/6/23 下午10:18:00
750mA 42VIN 同步降压型 DC/DC 转换器
發表于:2017/6/20 下午9:49:00
150V 快速高压侧受保护的 N 沟道
發表于:2017/6/10 下午9:35:00
150V 同步降压型 DC/DC 控制器
發表于:2017/6/10 下午8:24:00
无处不在的绿色能源应用
發表于:2017/6/6 下午3:09:00
15dB 增益差分放大器在 100kHz 至 1.4GHz 频率范围内
發表于:2017/5/26 下午4:07:00
集成 LO 缓冲器的超宽带 3GHz 至 20GHz 混频器
發表于:2017/5/25 下午1:22:00
IEEE 802.3bt PD 控制器效率高达 99%
發表于:2017/5/23 下午10:13:00
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