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三星HBM5导入2nm工艺 目标速度比HBM4E再提50%
發表于：2026/7/27 上午11:04:01
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日本突破2nm以下工艺新极限
發表于：2026/6/11 上午9:31:26
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台积电12年来首次升级晶体管架构
發表于：2026/1/12 上午9:47:01
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消息称三星电子3nm与2nm良率分别超60%和40%
發表于：2025/5/14 上午11:07:52
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台积电A14第二代GAA工艺解读
發表于：2025/4/27 上午9:50:01
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英伟达：GAA工艺或仅带来20%性能提升
發表于：2025/3/28 上午10:24:45
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传美国将进一步限制GAA技术及HBM对华出口
發表于：2024/6/12 上午8:59:00
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三星3nm GAA工艺良率上升至30%至60%
發表于：2024/3/26 上午8:59:23
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基于GAA晶体管的3nm制程也正式开启了新的晶体管时代
發表于：2022/8/20 下午9:37:28
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三星3nm芯片明日量产！GAA技术功耗爆降50%
發表于：2022/6/29 下午7:14:08
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消息称三星成功突破低良率难关，3nm GAA制程如期量产
發表于：2022/5/13 下午12:54:09
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三星陷入良率困境，3nm的GAA工艺，成了翻身机会
發表于：2022/3/21 下午4:58:19
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三星3nm工厂即将动工，首发GAA工艺功耗直降50%
發表于：2022/3/13 上午9:54:32
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英特尔关键技术新突破：互连密度提升10倍、晶体管微缩提升50%！台积电、三星将面临新挑战！
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三星 3nm GAA 和 2nm 量产时间点曝光
發表于：2021/10/9 下午2:50:10
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摩尔定律是否到顶，进一步了解GAA芯片技术
發表于：2020/11/19 上午6:22:21
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FinFET寿终正寝！台积电2nm GAA工艺结束路径探索阶段
發表于：2020/9/23 上午6:27:30
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芯片代工决战先进制程，台积电2nm为何一马当先？
發表于：2020/7/24 下午4:21:22
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中国台湾：台积电2nm大突破
發表于：2020/7/14 上午7:54:00
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台积电 2nm 制程研发取得突破，将切入 GAA 技术
發表于：2020/7/13 下午3:28:32
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英特尔5nm制程电晶体面临瓶颈，或弃用 FinFET专用GAA环绕栅极电晶体？
發表于：2020/3/16 下午4:20:24
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台积电三星激战的3nm，会是先进制程关键节点吗
發表于：2020/3/11 上午6:00:00
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3nm、5nm制程：复杂且昂贵的争夺战（一）
發表于：2020/2/6 下午4:49:22
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全新GAA技术是否能成为突破5nm的利器？
發表于：2019/7/1 下午12:15:31
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摩尔定律到底还能走多远？
發表于：2018/5/31 上午5:05:00
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