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INFINEON CoolMOS SPW20N60C3高压功率晶体管应用高端电源
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PDPM2009：融合通信成趋势 效率安全受关注
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Vishay Siliconix推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件
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Vishay Siliconix首创将高、低MOSFET集成在同一封装，大幅节省占位空间并降低设计难度
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Vishay Siliconix发布具有业界最低导通电阻的新型第三代20V P通道TrenchFET功率MOSFET
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Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET
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意法半导体（ST）推出全新30V功率晶体管，采用第六代STripFET制造工艺，功率密度达到业内最高水平
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Vishay Siliconix 推出业内最低导通电阻的新型 20V P 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET
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意法半导体推出MDmesh V技术的功率MOSFET芯片STP42N65M5
發表于：2009/2/24 下午3:52:22
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意法半导体（ST）最新MDmesh V功率MOSFET技术，在650V额定电压下取得最佳单位面积导通电阻、能效和功率密度
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Vishay Siliconix 推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的 190V N 通道功率 MOSFET
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Vishay推出业界首款190VN通道功率MOSFET
發表于：2009/1/6 下午4:15:37
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针对负载点消费类电子设备的电源管理解决方案
發表于：2009/1/5 下午1:53:30
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Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET 功率 MOSFET实现业内最低导通电阻
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Vishay Siliconix 推出了首款采用 TurboFET 技术的第三代功率 MOSFET，其切换损耗更低、切换速度更快
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Vishay 的新型 Siliconix 20V TrenchFET 第三代功率 MOSFET再创业界最佳导通电阻记录
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Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET Gen III 功率 MOSFET 刷新了业界最佳导通电阻记
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意法半导体（ST）推出SuperMESH3 功率MOSFET，提高照明系统和开关电源应用的能效、可靠性和安全性
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