基于功耗限制的CMOS低噪声放大器最优化设计
所屬分類:参考设计
上傳者:aet
文檔大小:169 K
標簽: RF|微波
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文檔介紹:分析了进行功耗限制条件下怎样得到低噪声放大器的最优噪声,并就阻抗匹配及小信号电压增益进行了详细讨论。介绍了采用0.25um CMOS工艺设计的工作在2.4GHz频率下的全集成低噪声放大器。模拟结果表明,在2.4GHz工作频率下,低噪声放大器的功耗为16mW,正向增益S21可达15dB,反射参数S11、S22分别小于-23dB和-20dB,噪声系数NF为2.7dB,三阶互调点IIP3为-0.5dB。
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