| 0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：324 K | |
| 標簽： MOS|IGBT|元器件 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。 | |
| 現在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2