| MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：341 K | |
| 標簽： 光传输网络 | |
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| 文檔介紹：MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能Carl Blake, 国际整流器公司 一个采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能够于高达2MHz/相位下工作，并提供120A电流，且满足负载点电源的瞬态响应要求。 MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能.pdf | |
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