LFPAK封装MOSFET的散热设计指南
所屬分類:参考设计
上傳者:serena
文檔大?。?span>333 K
標(biāo)簽: MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹:在设计功率场效应管MOSFET时,散热设计是一个必须考虑的问题,特别是针对工作在高温环境下的MOSFET器件,散热设计尤其重要。本应用指南描述了几种不同的方法,这些方法可在设计阶段使用,以确保印刷电路板的布局提供最佳的热性能。
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