2.4GHz 0.18μm CMOS低噪声放大器分析与设计
所屬分類：技术论文
上傳者：aet
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文檔介紹：基于低噪声放大器设计原理，从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计，利用ADS2005A对电路进行谐波平衡、S参数分析及双音测试，结果表明，其噪声系数为1.795dB，正向增益为17.35dB，IIP3约为-1.43dBm，功耗约8.96mW。
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